DTC044EEBTL 是一款由 Diodes 公司生產� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適用于多種功率轉換和開關應用。它具有較低的導通電阻和較高的電流處理能�,能夠在高頻條件下保持高效運行�
� MOSFET 的設計使其成為消費電�、工�(yè)設備以及通信系統中的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.8A
導通電阻(典型值)�70mΩ
柵極電荷�13nC
總電容:280pF
工作溫度范圍�-55� � 150�
DTC044EEBTL 提供了低導通電阻以減少傳導損�,從而提高整體效率�
其封裝形式便于安�,并且具備良好的散熱性能�
由于采用了先進的制造工藝,該器件在高頻操作下表現出�(yōu)異的開關特��
此外,該 MOSFET 具有出色的雪崩能量能力,增強了系統的可靠��
DTC044EEBTL 可廣泛應用于 DC-DC 轉換�、電機驅動器、負載開�、電源管理模塊等領域�
在消費類電子產品�,它可用于筆記本電腦適配�、智能手機充電器等場��
工業(yè)領域�,該器件適合用作固態(tài)繼電器或可編程邏輯控制器的一部分�
同時,在汽車電子方面,它也能夠勝任電池保護電路及照明控制等功能�
DTC044EDEBTL, DTC044LNEBTL