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DTC044EEBTL 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 15:12:54 查看 閱讀�22

DTC044EEBTL 是一款由 Diodes 公司生產� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適用于多種功率轉換和開關應用。它具有較低的導通電阻和較高的電流處理能�,能夠在高頻條件下保持高效運行�
  � MOSFET 的設計使其成為消費電�、工�(yè)設備以及通信系統中的理想選擇�

參數

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  導通電阻(典型值)�70mΩ
  柵極電荷�13nC
  總電容:280pF
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

DTC044EEBTL 提供了低導通電阻以減少傳導損�,從而提高整體效率�
  其封裝形式便于安�,并且具備良好的散熱性能�
  由于采用了先進的制造工藝,該器件在高頻操作下表現出�(yōu)異的開關特��
  此外,該 MOSFET 具有出色的雪崩能量能力,增強了系統的可靠��

應用

DTC044EEBTL 可廣泛應用于 DC-DC 轉換�、電機驅動器、負載開�、電源管理模塊等領域�
  在消費類電子產品�,它可用于筆記本電腦適配�、智能手機充電器等場��
  工業(yè)領域�,該器件適合用作固態(tài)繼電器或可編程邏輯控制器的一部分�
  同時,在汽車電子方面,它也能夠勝任電池保護電路及照明控制等功能�

替代型號

DTC044EDEBTL, DTC044LNEBTL

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dtc044eebtl產品

dtc044eebtl參數

  • 現有數量6,000現貨
  • 價格1 : �1.51000剪切帶(CT�3,000 : �0.27936卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產品狀�(tài)在售
  • 晶體管類�NPN - 預偏�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)30 mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)50 V
  • 電阻� - 基極 (R1)47 kOhms
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)47 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?� DC 電流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA�10V
  • 不同?Ib、Ic �?Vce 飽和壓降(最大值)150mV @ 500μA�5mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值)-
  • 頻率 - 躍遷250 MHz
  • 功率 - 最大�150 mW
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼SC-89,SOT-490
  • 供應商器件封�EMT3F(SOT-416FL�