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DTC123JET1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 19:58:14 查看 閱讀�15

DTC123JET1G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于電源管理、電機驅動和開關電路等領�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高效率的特點,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能。此�,DTC123JET1G還具備優(yōu)異的熱特性和可靠�,適合在嚴苛�(huán)境下使用�

參數

類型:N-Channel MOSFET
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  漏源極擊穿電壓(BVDSS):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):120A
  柵極電荷(Qg):80nC
  總電容(Ciss):3500pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

DTC123JET1G采用了先進的溝槽式結構設計,顯著降低了導通電�,從而提升了整體效率�
  該器件具備快速開關速度,有助于減少開關損�,并且其出色的熱性能確保了在高溫�(huán)境下的穩(wěn)定運��
  此外,DTC123JET1G還具有良好的短路耐受能力,進一步增強了系統(tǒng)的安全性與可靠��
  由于其優(yōu)化的封裝設計,這款MOSFET能夠承受較高的電流負�,非常適合用于大功率應用場合�

應用

DTC123JET1G廣泛應用于各類電子設備中,包括但不限于以下領域:
  - 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流�
  - 電動工具和家用電器的電機驅動
  - 工業(yè)自動化設備中的功率控�
  - 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
  - 大功率LED驅動器中的關鍵組�
  憑借其卓越的性能和可靠�,這款器件已成為許多高要求應用的理想選��

替代型號

DTC124JET1G, DTC123JET2G, IRF123

dtc123jet1g推薦供應� 更多>

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dtc123jet1g參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN - 預偏�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�2.2k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)80 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉換-
  • 功率 - 最�200mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-75,SOT-416
  • 供應商設備封�SC-75
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DTC123JET1G-NDDTC123JET1GOSTR