時(shí)間：2025/4/28 20:43:45
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DTC144EMGT2L 是一種基于碳化硅 (SiC) 技術(shù)的 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于高功率密度、高效能的電力電子系統(tǒng)。該器件具有優(yōu)異的開關(guān)性能和導(dǎo)通特性，能夠在高頻工作條件下保持低損耗。DTC144EMGT2L 的設(shè)計(jì)使其非常適合電動(dòng)汽車、太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS) 和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。
其封裝形式為 TO-247-4，提供更高的熱性能和電氣穩(wěn)定性，同時(shí)支持更便捷的電路板安裝。
最大漏源電壓：1200V
連續(xù)漏極電流：80A
柵極閾值電壓：3.5V
導(dǎo)通電阻：16mΩ
開關(guān)頻率范圍：最高可達(dá) 100kHz
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝類型：TO-247-4
DTC144EMGT2L 的主要特點(diǎn)是采用了先進(jìn)的 SiC MOSFET 技術(shù)，這使得它在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出顯著的低損耗特性。與傳統(tǒng)的硅基 IGBT 或 MOSFET 相比，DTC144EMGT2L 提供更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度，從而有效減少能量損耗并提升效率。
此外，該芯片具有較高的耐壓能力（1200V），適合高壓應(yīng)用場景。同時(shí)，由于其寬禁帶半導(dǎo)體材料的特性，DTC144EMGT2L 能夠在高達(dá) 175℃ 的結(jié)溫下可靠運(yùn)行，這對于高溫環(huán)境下的應(yīng)用尤為重要。
DTC144EMGT2L 還具備短路保護(hù)功能，在短時(shí)間內(nèi)承受過流而不損壞，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的安全性和可靠性。
DTC144EMGT2L 主要應(yīng)用于需要高效率和高功率密度的場景中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 電動(dòng)汽車 (EV) 充電樁和牽引逆變器
2. 太陽能光伏逆變器
3. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
4. 不間斷電源 (UPS)
5. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
6. 風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)裝置
這些應(yīng)用得益于 SiC MOSFET 的高效開關(guān)特性和高溫工作能力，能夠顯著降低系統(tǒng)能耗并提高整體性能。
DTC144EMGT2H, DTC144EMGT2K
