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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DTC314TKT146

DTC314TKT146 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 18:08:48 查看 閱讀�18

DTC314TKT146是一款基于MOSFET技�(shù)的功率晶體管,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備低�(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能,適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(lǐng)��
  此型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOS�,支持大電流和高壓操�,廣泛應(yīng)用于需要高效能與可靠性的工業(yè)及消�(fèi)電子�(chǎng)景�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFVDS)�40V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  連續(xù)漏極電流(ID)�31A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�4.5mΩ(典型�,@VGS=10V)
  總功�(Ptot)�200W
  �(jié)溫范�(TJ)�-55� to +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

DTC314TKT146具有以下主要特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on),在特定工作條件下能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景,提升系統(tǒng)效率�
  3. 高雪崩能�,確保在異常情況下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行�
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能維持高性能表現(xiàn)�
  5. �(qiáng)大的短路耐受能力,增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�

�(yīng)�

該芯片被廣泛用于多種電力電子�(shè)備中,具體包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流��
  2. 直流-直流(DC-DC)�(zhuǎn)換器的核心功率元��
  3. 電動(dòng)工具、家用電器等�(chǎn)品的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)備中的功率模��
  5. 太陽(yáng)能逆變器以及其他可再生能源�(fā)電系�(tǒng)的功率變換環(huán)節(jié)�

替代型號(hào)

DTC314TKT147, IRF3205, FDP18N40L

dtc314tkt146推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

dtc314tkt146參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN - �(yù)偏壓
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)600mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)15V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)100 @ 50mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)80mV @ 2.5mA�50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 頻率 - �(zhuǎn)�200MHz
  • 功率 - 最�200mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�3-SMT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DTC314TKT146-NDDTC314TKT146TR