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DTC363EKT146 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/7 18:07:53 查看 閱讀:23

DTC363EKT146 是一款基于絕緣體上硅 (SOI) 技術(shù)的高壓功率 MOSFET,由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種工業(yè)應(yīng)用中的高效能功率轉(zhuǎn)換場景。
  該芯片設(shè)計(jì)為 N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,可廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器以及其他需要高性能功率管理的場合。

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流:8A
  導(dǎo)通電阻:2.4Ω(典型值,在特定條件下)
  柵極電荷:45nC(典型值)
  開關(guān)頻率:高達(dá) 1MHz
  封裝類型:TO-220AC
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

DTC363EKT146 具備以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓能力,支持高達(dá) 650V 的漏源電壓,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,在滿載條件下減少功率損耗,提升整體效率。
  3. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管,優(yōu)化性能并減少開關(guān)噪聲。
  4. 快速開關(guān)特性,確保在高頻操作時(shí)保持高效率。
  5. 高溫穩(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。

應(yīng)用

DTC363EKT146 廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,適用于家用電器及工業(yè)設(shè)備。
  3. 太陽能微逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  4. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路。
  5. 電池充電器和其他便攜式電子設(shè)備的電源管理部分。

替代型號

DTC363EK, DTC363EKT147, IRF840

dtc363ekt146推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

dtc363ekt146參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型NPN - 預(yù)偏壓
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)600mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)20V
  • 電阻器 - 基極 (R1)(歐)6.8k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐)6.8k
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)70 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)80mV @ 2.5mA,50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換200MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝3-SMT
  • 包裝帶卷 (TR)