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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > EEEFP1H101AP

EEEFP1H101AP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 12:17:49 查看 閱讀�33

EEEFP1H101AP是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和�(yōu)秀的熱性能�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,通過(guò)�(yōu)化柵極電荷設(shè)�(jì),能夠顯著降低開(kāi)�(guān)損�,同�(shí)具備良好的電氣特性和可靠性,適合要求苛刻的工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�100V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�15mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�35nC(典型值)
  輸入電容(Ciss)�1200pF(典型值)
  總功�(Pd)�80W(在�(jié)溫為25°C�(shí)�
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C

特�

EEEFP1H101AP具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 低導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),降低開(kāi)�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
  3. 高雪崩能量能�,提供更�(qiáng)的魯棒性以�(yīng)�(duì)異常情況�
  4. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高效功率轉(zhuǎn)��
  5. 小型封裝選項(xiàng),便于實(shí)�(xiàn)緊湊型設(shè)�(jì)�
  6. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種�(huán)境條件下的使用需求�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

EEEFP1H101AP適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS),如適配�、充電器��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電源管��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),適用于家用電器、工�(yè)�(shè)備中的小型電�(jī)控制�
  4. �(fù)載切換電�,用于保�(hù)和控制電子系�(tǒng)的不同負(fù)��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于監(jiān)控和管理電池充放電過(guò)��
  6. 其他需要高效功率開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP10NK06Z
  FDP16N10E
  IXFN110N10T2

eeefp1h101ap推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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