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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > EEEFT1E101AP

EEEFT1E101AP 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 14:48:47 查看 閱讀�23

EEEFT1E101AP是一款N溝道增強型場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于開關電源、電機驅動和負載切換等場�。該器件采用小型化封裝,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于多種電子電路設計�
  EEEFT1E101AP在功率轉換和信號切換中表�(xiàn)出色,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)性能。其緊湊的外形使其成為對空間要求嚴格的電路的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:4.2A
  導通電阻:85mΩ
  總功耗:1.1W
  工作結溫范圍�-55℃至150�
  封裝類型:SOT-23

特�

EEEFT1E101AP的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻,確保高效運行和減少發(fā)��
  2. 高速開關能力,適合高頻應用�
  3. 小型SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間�
  4. 較寬的工作溫度范圍,適應各種�(huán)境條��
  5. 高可靠性和�(wěn)定�,可長期�(wěn)定運��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��

應用

EEEFT1E101AP適用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)中的功率開關�
  2. 各類DC-DC轉換器中的同步整流功��
  3. 電池保護和負載切換電��
  4. 電機驅動和H橋電路中的功率控��
  5. 手機和平板電腦等便攜式設備中的負載管理�
  6. 汽車電子中的低邊開關應用�

替代型號

AO3400A
  FDD6676
  IRLML6402

eeeft1e101ap推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

eeeft1e101ap參數(shù)

  • 安裝類型表面
  • 容差±20%
  • 容差 �+20%
  • 容差 �-20%
  • 壽命時間2000h
  • 封裝/外殼D
  • 尺寸6.3 Dia. x 5.8mm
  • 引線直徑0.65mm
  • 引線節(jié)�1.8mm
  • 最低工作溫�-55°C
  • 最高工作溫�+105°C
  • 泄漏電流25 μA
  • 電壓25 V 直流
  • 電容�100μF
  • 直徑6.3mm
  • 等值串�(lián)電阻�0.26Ω
  • 紋波電流300mA
  • 結構金屬�
  • 高度5.8mm