EEEHD2A220P是一款高性能的功率MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等領域。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和性能。
EEEHD2A220P采用了TO-220封裝形式,便于散熱設計,同時提供出色的電氣性能和可靠性,適用于高電流和高電壓的應用場景。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:12A
導通電阻:0.3Ω
柵極閾值電壓:4V
總功耗:150W
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
EEEHD2A220P具備以下主要特性:
1. 極低的導通電阻,可減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關速度,有助于降低開關損耗。
3. 高擊穿電壓,確保在高壓應用中的穩(wěn)定性和安全性。
4. 優(yōu)化的熱性能,支持高效的散熱管理。
5. 高可靠性設計,滿足工業(yè)和汽車級應用需求。
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料。
EEEHD2A220P適用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機驅(qū)動與控制
4. 電池充電器
5. 逆變器
6. 工業(yè)自動化設備
7. 汽車電子系統(tǒng)
8. 照明驅(qū)動電路
IRFZ44N
FDP5500
STP12NF06