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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > EEHZA1H101V

EEHZA1H101V 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 19:21:00 查看 閱讀�18

EEHZA1H101V 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,適用于各種高效能電源管理應(yīng)�。其封裝形式� TO-263,具有良好的散熱性能�
  EEHZA1H101V 主要用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景中,如�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器�。由于其低導(dǎo)通電阻特�,可以顯著降低功耗并提升整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號(hào):EEHZA1H101V
  類型:N 溝道增強(qiáng)� MOSFET
  封裝:TO-263
  漏源極電�(Vds)�100V
  連續(xù)漏極電流(Id)�15A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�7.5mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
  柵極電荷(Qg)�18nC(最大值)
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  輸入電容(Ciss)�1050pF

特�

EEHZA1H101V 具備多種卓越特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提高效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損耗�
  3. 大電流承載能�,適用于高功率密度設(shè)�(jì)�
  4. 寬廣的工作溫度范�,適合在極端�(huán)境下使用�
  5. 小巧� TO-263 封裝形式,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  這些特性使� EEHZA1H101V 成為許多工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備的理想選擇�

�(yīng)�

EEHZA1H101V 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) - 提供高效的功率轉(zhuǎn)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器 - �(shí)�(xiàn)�(wěn)定的電壓輸出�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng) - 控制電機(jī)的速度和方��
  4. 逆變� - 將直流電�(zhuǎn)換為交流電�
  5. 照明系統(tǒng) - � LED �(qū)�(dòng)器中的功率控��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)� - 在各類控制系�(tǒng)中作為功率開(kāi)�(guān)�
  通過(guò)利用 EEHZA1H101V 的高性能特點(diǎn),可以在上述�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)更高的效率和更可靠的�(yùn)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP16NF06
  FDP16N10
  IXFN16N10P

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