EEHZA1H101V 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,適用于各種高效能電源管理應(yīng)�。其封裝形式� TO-263,具有良好的散熱性能�
EEHZA1H101V 主要用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景中,如�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器�。由于其低導(dǎo)通電阻特�,可以顯著降低功耗并提升整體系統(tǒng)效率�
型號(hào):EEHZA1H101V
類型:N 溝道增強(qiáng)� MOSFET
封裝:TO-263
漏源極電�(Vds)�100V
連續(xù)漏極電流(Id)�15A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�7.5mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
柵極電荷(Qg)�18nC(最大值)
工作溫度范圍�-55� � +175�
輸入電容(Ciss)�1050pF
EEHZA1H101V 具備多種卓越特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提高效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損耗�
3. 大電流承載能�,適用于高功率密度設(shè)�(jì)�
4. 寬廣的工作溫度范�,適合在極端�(huán)境下使用�
5. 小巧� TO-263 封裝形式,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
這些特性使� EEHZA1H101V 成為許多工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備的理想選擇�
EEHZA1H101V 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) - 提供高效的功率轉(zhuǎn)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器 - �(shí)�(xiàn)�(wěn)定的電壓輸出�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng) - 控制電機(jī)的速度和方��
4. 逆變� - 將直流電�(zhuǎn)換為交流電�
5. 照明系統(tǒng) - � LED �(qū)�(dòng)器中的功率控��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)� - 在各類控制系�(tǒng)中作為功率開(kāi)�(guān)�
通過(guò)利用 EEHZA1H101V 的高性能特點(diǎn),可以在上述�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)更高的效率和更可靠的�(yùn)��
IRFZ44N
STP16NF06
FDP16N10
IXFN16N10P