EEHZS1H221P 是一款由村田制作所(Murata)生�(chǎn)的片式壓敏電阻,主要用于電路的過電壓保護(hù)。它屬于 MLV(Multilayer Varistor)系�,采用多層陶瓷工藝制造,具有高能�、快速響�(yīng)和穩(wěn)定的性能特點(diǎn)。該型號(hào)適用于各種消�(fèi)電子�(shè)�、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中的瞬�(tài)電壓抑制需��
EEHZS1H221P 的設(shè)�(jì)使其能夠承受高浪涌電流并提供低漏電流,從而保�(hù)敏感的電子元件免受靜電放電(ESD�、雷擊和其他瞬態(tài)電壓事件的損��
額定電壓�22V
最大浪涌電流:50A
直徑�1.0mm
厚度�0.5mm
封裝類型�0402英寸
工作溫度范圍�-55� � +125�
響應(yīng)�(shí)間:<1ns
漏電流:�1μA
EEHZS1H221P 具備以下顯著特性:
1. 快速響�(yīng)�(shí)間:其響�(yīng)�(shí)間小� 1 納秒,能夠及�(shí)有效地抑制瞬�(tài)電壓脈沖�
2. 高可靠性:在嚴(yán)苛的工作條件下仍保持�(wěn)定性能,適合長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的�(shè)��
3. 小型化設(shè)�(jì):采� 0402 英寸封裝,節(jié)省了 PCB 空間,非常適合緊湊型�(shè)�(jì)�
4. 寬溫度范圍:支持� -55°C � +125°C 的寬溫操作環(huán)�,適�(yīng)多種�(yīng)用場(chǎng)��
5. 低漏電流:在正常工作條件下,漏電流極�,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
6. 多層陶瓷�(jié)�(gòu):利用先�(jìn)的多層陶瓷技�(shù)制�,確保產(chǎn)品具有高能量處理能力和長(zhǎng)壽命�
EEHZS1H221P 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如手�(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其他便攜式�(shè)備的電源接口保護(hù)�
2. 工業(yè)�(shè)備:用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�、傳感器模塊和通信接口的過電壓防護(hù)�
3. 通信�(shè)備:包括�(wǎng)�(luò)交換�(jī)、路由器及無線接入點(diǎn)等的信號(hào)線和電源線保�(hù)�
4. 汽車電子:適用于汽車電子系統(tǒng)� ESD 和浪涌保�(hù),例如車載信息娛樂系�(tǒng)和導(dǎo)航系�(tǒng)�
5. �(yī)療設(shè)備:為醫(yī)療儀器中的關(guān)鍵組件提供保�(hù),防止因瞬態(tài)電壓�(dǎo)致的故障�
EEHCS1H221P, PESD2CANBxTMA