EL354N(A)(TA)-VG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,主要用于高頻開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和射頻放大器等應(yīng)�。該器件采用增強(qiáng)型常�(guān) (E-Mode) �(shè)�(jì),具有高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度等特�(diǎn)。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,適用于自動(dòng)化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)�
EL354N(A)(TA)-VG 的核心優(yōu)�(shì)在于� GaN 材料特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體尺寸,是傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的理想升�(jí)替代方案�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:70mΩ
柵極電荷�20nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá) 5MHz
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝類型:VFQFPN8
1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的�(dú)特性質(zhì),EL354N(A)(TA)-VG 提供了更低的�(dǎo)通電阻和更快的開(kāi)�(guān)速度,從而大幅降低導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損��
2. 小型化設(shè)�(jì):相比傳�(tǒng)的硅基器件,這款 GaN 晶體管能夠在更小的封裝中�(shí)�(xiàn)更高的功率密��
3. �(wěn)定性與可靠性:采用先�(jìn)的制造工藝和保護(hù)�(jī)制,確保在高頻和高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)��
4. 寬廣的應(yīng)用場(chǎng)景:適用于消�(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)�(lǐng)域中的各種高效率需求場(chǎng)��
5. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)柵極�(qū)�(dòng)信號(hào),簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(guò)程�
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
EL354N(A)(TA)-VG 的快速開(kāi)�(guān)能力使其非常適合用于需要高效率的小型化�(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
2. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS)�
�(wú)論是 AC-DC 還是 DC-DC �(yīng)�,該器件都能提供出色的能效表�(xiàn)�
3. 射頻功率放大器:
利用其高頻特性和低寄生效�(yīng),可廣泛�(yīng)用于�(wú)線通信�(lǐng)域的射頻放大電路�
4. 快速充電適配器�
支持更高功率密度的設(shè)�(jì),有助于�(kāi)�(fā)更小巧且高效的快充解決方案�
5. 工業(yè)�(qū)�(dòng)器:
在電�(jī)控制和其他工�(yè)�(qū)�(dòng)�(yīng)用中,其高可靠性和低損耗特�(diǎn)也極具吸引力�
EL353N-VG, EPC2036, TXG010N10T4