ELJRF68NJFB是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高耐壓的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率和�(wěn)定��
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,其出色的電氣性能使其非常適合用于要求高可靠性和高效能的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:0.12Ω
柵極電荷�45nC
開關(guān)速度:超�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
ELJRF68NJFB具備以下突出特性:
1. 高擊穿電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(0.12Ω�,減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速的開關(guān)速度,有效降低開�(guān)損��
4. 高溫適應(yīng)能力,能夠在極端溫度條件下正常工��
5. 良好的熱�(wěn)定�,有助于延長(zhǎng)使用壽命�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源�(shè)�(jì),如AC-DC適配器和充電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,提供高效的功率控制�
4. 工業(yè)逆變器和UPS不間斷電源系�(tǒng)�
5. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換功能�
6. 其他需要高電壓、大電流處理能力的場(chǎng)��
IRF640N
FQP17N60
STP12NM60E