ELJRF7N5JFB是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于高電�、大電流的應用場�。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開關性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低能耗�
這款MOSFET通常被用于電源管�、電機驅(qū)動、工�(yè)控制以及汽車電子等應用領��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�7A
導通電阻:0.4Ω
柵極電荷�28nC
開關速度:快
封裝類型:TO-220
工作溫度范圍�-55℃至175�
ELJRF7N5JFB具有出色的電氣特性和可靠�。其主要特點包括�
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達600V的漏源電�,非常適合高壓應用場景�
2. 低導通電阻:僅為0.4Ω,在大電流條件下能有效減少功耗�
3. 快速開關能力:低柵極電荷設計使其具備快速的開關性能,有助于降低開關損��
4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運行,適合各種嚴苛�(huán)境下的應��
5. 封裝可靠:采用標準的TO-220封裝形式,便于安裝與散熱�
該芯片廣泛應用于多種電力電子設備�,具體包括:
1. 開關電源:在AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主開關元件�
2. 電機�(qū)動:用于無刷直流電機(BLDC)或其他類型的電機控制電��
3. 工業(yè)自動化:例如變頻�、伺服驅(qū)動器等需要精確控制電流和電壓的場��
4. 汽車電子:如電動車窗、座椅調(diào)節(jié)系統(tǒng)及車載充電器等汽車相關產(chǎn)��
5. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景�
IRFZ44N, FQP19N60, STP75NF06L