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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > EMD12T2R

EMD12T2R 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 10:58:15 查看 閱讀�31

EMD12T2R是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件通常用于需要高效開關和低導通電阻的應用場景。它具有出色的電氣性能,適用于多種電源管理應用,如DC-DC轉換�、負載開�、電池保護電路等。該MOSFET采用TO-252封裝形式,具備良好的散熱性能和緊湊的尺寸�

參數

最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�12A
  導通電�(Rds(on))�3.6mΩ
  柵極電荷(Qg)�34nC
  總功�(Ptot)�2.2W
  工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�

特�

EMD12T2R采用了先進的半導體制造工藝,具有以下顯著特點�
  1. 極低的導通電�(Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開關能�,能夠快速響應各種動�(tài)負載條件�
  3. 良好的熱�(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
  4. 高雪崩能力和魯棒性,可以承受短時間的過載情況�
  5. 小型化的TO-252封裝設計,便于PCB布局并節(jié)省空��

應用

該MOSFET廣泛應用于多種電力電子領�,包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流��
  2. DC-DC轉換器的核心開關元件�
  3. 電機驅動電路中的功率級控��
  4. 各類負載開關和保護電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制電��
  6. 汽車電子設備中的大電流開��

替代型號

IRFZ44N
  STP12NK60Z
  FDP5500
  IXTP12N5L

emd12t2r推薦供應� 更多>

  • 產品型號
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emd12t2r資料 更多>

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emd12t2r參數

  • 標準包裝8,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�1 � NPN�1 � PNP - 預偏壓式(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�47k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)68 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 500µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉換250MHz
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應商設備封�EMT6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱EMD12T2R-NDEMD12T2RTR