EMD12T2R是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件通常用于需要高效開關和低導通電阻的應用場景。它具有出色的電氣性能,適用于多種電源管理應用,如DC-DC轉換�、負載開�、電池保護電路等。該MOSFET采用TO-252封裝形式,具備良好的散熱性能和緊湊的尺寸�
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�12A
導通電�(Rds(on))�3.6mΩ
柵極電荷(Qg)�34nC
總功�(Ptot)�2.2W
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�
EMD12T2R采用了先進的半導體制造工藝,具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電�(Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,能夠快速響應各種動�(tài)負載條件�
3. 良好的熱�(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
4. 高雪崩能力和魯棒性,可以承受短時間的過載情況�
5. 小型化的TO-252封裝設計,便于PCB布局并節(jié)省空��
該MOSFET廣泛應用于多種電力電子領�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流��
2. DC-DC轉換器的核心開關元件�
3. 電機驅動電路中的功率級控��
4. 各類負載開關和保護電路�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制電��
6. 汽車電子設備中的大電流開��
IRFZ44N
STP12NK60Z
FDP5500
IXTP12N5L