產(chǎn)品型號 | EP1S10F484I6N |
描述 | 集成電路FPGA 335 I/O 484FBGA |
分類 | 集成電路(IC),嵌入式-FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) |
制造商 | 英特爾 |
系列 | Stratix? |
打包 | 托盤 |
零件狀態(tài) | 過時(shí)的 |
電壓-電源 | 1.425V?1.575V |
工作溫度 | -40°C?100°C(TJ) |
包裝/箱 | 484-BBGA,F(xiàn)CBGA |
供應(yīng)商設(shè)備包裝 | 484-FBGA(23x23) |
基本零件號 | EP1S10 |
EP1S10F484I6N
可編程邏輯類型 | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
符合REACH | 是 |
符合歐盟RoHS | 是 |
狀態(tài) | 轉(zhuǎn)入 |
JESD-30代碼 | S-PBGA-B484 |
JESD-609代碼 | 1號 |
總RAM位 | 920448 |
輸入數(shù)量 | 426.0 |
邏輯單元數(shù) | 10570.0 |
輸出數(shù)量 | 426.0 |
端子數(shù) | 484 |
峰值回流溫度(℃) | 260 |
電源 | 1.5,1.5 / 3.3 |
資格狀態(tài) | 不合格 |
子類別 | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
電源電壓標(biāo)稱 | 1.5伏 |
最小供電電壓 | 1.425伏 |
最大電源電壓 | 1.575伏 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
技術(shù) | CMOS |
終端完成 | 錫銀銅 |
終端表格 | 球 |
端子間距 | 1.0毫米 |
終端位置 | 底部 |
時(shí)間@峰值回流溫度最大值(秒) | 40 |
包裝主體材料 | 塑料/環(huán)氧樹脂 |
包裝代碼 | BGA |
包裝等效代碼 | BGA484,22X22,40 |
包裝形狀 | 廣場 |
包裝形式 | 網(wǎng)格陣列 |
制造商包裝說明 | 23 X 23 MM,1 MM間距,無鉛,F(xiàn)BGA-484 |
無鉛狀態(tài) | 無鉛 |
水分敏感性水平(MSL) | 3(168小時(shí)) |
10,570至79,040 LE
多達(dá)7,427,520個(gè)RAM位(928,440字節(jié))可用,而不減少邏輯資源
TriMatrixTM存儲器,由三種RAM塊大小組成,以實(shí)現(xiàn)真正的雙端口存儲器和先進(jìn)先出(FIFO)緩沖區(qū)
高速DSP模塊提供乘法器(快于300 MHz),乘法累加功能和有限脈沖響應(yīng)(FIR)濾波器的專用實(shí)現(xiàn)
多達(dá)16個(gè)全局時(shí)鐘,每個(gè)設(shè)備區(qū)域具有22個(gè)時(shí)鐘資源
每個(gè)設(shè)備多達(dá)12個(gè)PLL(四個(gè)增強(qiáng)型PLL和八個(gè)快速PLL)可提供擴(kuò)頻,可編程帶寬,時(shí)鐘切換,實(shí)時(shí)PLL重配置以及高級乘法和相移
支持多種單端和差分I / O標(biāo)準(zhǔn)
在多達(dá)116個(gè)通道上支持高速差分I / O,其中多達(dá)80個(gè)通道針對840兆比特(Mbps)進(jìn)行了優(yōu)化
支持高速網(wǎng)絡(luò)和通信總線標(biāo)準(zhǔn),包括RapidIO,UTOPIA IV,CSIX,HyperTransportTM技術(shù),10G以太網(wǎng)XSBI,SPI-4 2期(POS-PHY 4級)和SFI-4
對LVDS的差分片上匹配支持
支持高速外部存儲器,包括零總線周轉(zhuǎn)(ZBT)SRAM,四數(shù)據(jù)速率(QDR和QDRII)SRAM,雙數(shù)據(jù)速率(DDR)SDRAM,DDR快速周期RAM(FCRAM)和單數(shù)據(jù)速率(SDR) )SDRAM
在-6和更高速度級別的設(shè)備中支持66-MHz PCI(64和32位),在-8和更快速度級別的設(shè)備中支持33-MHz PCI(64和32位)
在-5速度等級的設(shè)備中支持133 MHz PCI-X 1.0
在-6和更高速度等級的設(shè)備中支持100 MHz PCI-X 1.0
在-7速級設(shè)備中支持66-MHz PCI-X 1.0
支持AlteraMegaCore?功能和Altera Megafunction合作伙伴計(jì)劃(AMPP SM)宏功能中的多個(gè)知識產(chǎn)權(quán)宏功能
支持遠(yuǎn)程配置更新