產(chǎn)品型號 | EP1S20F780I6N |
描述 | 集成電路FPGA 586 I/O 780FBGA |
分類 | 集成電路(IC),嵌入式-FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) |
制造商 | 英特爾 |
系列 | Stratix? |
打包 | 托盤 |
零件狀態(tài) | 過時的 |
電壓-電源 | 1.425V?1.575V |
工作溫度 | -40°C?100°C(TJ) |
包裝/箱 | 780-BBGA,F(xiàn)CBGA |
供應商設備包裝 | 780-FBGA(29x29) |
基本零件號 | EP1S20 |
EP1S20F780I6N
可編程邏輯類型 | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
符合REACH | 是 |
符合歐盟RoHS | 是 |
狀態(tài) | 轉(zhuǎn)入 |
JESD-30代碼 | S-PBGA-B780 |
JESD-609代碼 | 1號 |
總RAM位 | 1669248 |
CLB數(shù)量 | 2132.0 |
輸入數(shù)量 | 586.0 |
邏輯單元數(shù) | 18460.0 |
輸出數(shù)量 | 586.0 |
端子數(shù) | 780 |
組織 | 2132 CLBS |
峰值回流溫度(℃) | 245 |
電源 | 1.5,1.5 / 3.3 |
資格狀態(tài) | 不合格 |
座高 | 3.5毫米 |
子類別 | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
電源電壓標稱 | 1.5伏 |
最小供電電壓 | 1.425伏 |
最大電源電壓 | 1.575伏 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
技術(shù) | CMOS |
終端完成 | 錫銀銅 |
終端表格 | 球 |
端子間距 | 1.0毫米 |
終端位置 | 底部 |
時間@峰值回流溫度最大值(秒) | 40 |
長度 | 29.0毫米 |
寬度 | 29.0毫米 |
包裝主體材料 | 塑料/環(huán)氧樹脂 |
包裝代碼 | BGA |
包裝等效代碼 | BGA780,28X28,40 |
包裝形狀 | 廣場 |
包裝形式 | 網(wǎng)格陣列 |
制造商包裝說明 | 29 X 29 MM,1 MM間距,無鉛,F(xiàn)BGA-780 |
無鉛狀態(tài) | 無鉛 |
水分敏感性水平(MSL) | 3(168小時) |
10,570至79,040 LE 見表1-1
多達7,427,520個RAM位(928,440字節(jié))可用,而不減少邏輯資源
TriMatrixTM存儲器,由三種RAM塊大小組成,以實現(xiàn)真正的雙端口存儲器和先進先出(FIFO)緩沖區(qū)
高速DSP模塊提供乘法器(快于300 MHz),乘法累加功能和有限脈沖響應(FIR)濾波器的專用實現(xiàn)
多達16個全局時鐘,每個設備區(qū)域具有22個時鐘資源
每個設備多達12個PLL(四個增強型PLL和八個快速PLL)可提供擴頻,可編程帶寬,時鐘切換,實時PLL重配置以及高級乘法和相移
支持多種單端和差分I / O標準
在多達116個通道上支持高速差分I / O,其中多達80個通道針對840兆比特(Mbps)進行了優(yōu)化
支持高速網(wǎng)絡和通信總線標準,包括RapidIO,UTOPIA IV,CSIX,HyperTransportTM技術(shù),10G以太網(wǎng)XSBI,SPI-4階段2(POS-PHY級別4),和SFI-4
對LVDS的差分片上匹配支持
支持高速外部存儲器,包括零總線周轉(zhuǎn)(ZBT)SRAM,四數(shù)據(jù)速率(QDR和QDRII)SRAM,雙數(shù)據(jù)速率(DDR)SDRAM,DDR快速周期RAM(FCRAM)和單數(shù)據(jù)速率(SDR) )SDRAM
在-6和更高速度級別的設備中支持66-MHz PCI(64和32位),在-8和更快速度級別的設備中支持33-MHz PCI(64和32位)
在-5速度等級的設備中支持133 MHz PCI-X 1.0
在-6和更高速度等級的設備中支持100 MHz PCI-X 1.0
在-7速級設備中支持66-MHz PCI-X 1.0
支持AlteraMegaCore?功能和Altera Megafunction Partners Program(AMPPSM)宏功能中的多個知識產(chǎn)權(quán)宏功能
支持遠程配置更新
EP1S20F780I6N符號
EP1S20F780I6N腳印