EP1S20F780I6N 時間：2023/8/1 11:11:08 閱讀：320

產(chǎn)品概述

產(chǎn)品型號	EP1S20F780I6N
描述	集成電路FPGA 586 I/O 780FBGA
分類	集成電路(IC)，嵌入式-FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)
制造商	英特爾
系列	Stratix?
打包	托盤
零件狀態(tài)	過時的
電壓-電源	1.425V?1.575V
工作溫度	-40°C?100°C(TJ)
包裝/箱	780-BBGA，F(xiàn)CBGA
供應商設備包裝	780-FBGA(29x29)
基本零件號	EP1S20

產(chǎn)品圖片

EP1S20F780I6N

規(guī)格參數(shù)

可編程邏輯類型	現(xiàn)場可編程門陣列
符合REACH	是
符合歐盟RoHS	是
狀態(tài)	轉(zhuǎn)入
JESD-30代碼	S-PBGA-B780
JESD-609代碼	1號
總RAM位	1669248
CLB數(shù)量	2132.0
輸入數(shù)量	586.0
邏輯單元數(shù)	18460.0
輸出數(shù)量	586.0
端子數(shù)	780
組織	2132 CLBS
峰值回流溫度(℃)	245
電源	1.5,1.5 / 3.3
資格狀態(tài)	不合格
座高	3.5毫米
子類別	現(xiàn)場可編程門陣列
電源電壓標稱	1.5伏
最小供電電壓	1.425伏
最大電源電壓	1.575伏
安裝類型	表面貼裝
技術(shù)	CMOS
終端完成	錫銀銅
終端表格	球
端子間距	1.0毫米
終端位置	底部
時間@峰值回流溫度最大值(秒)	40
長度	29.0毫米
寬度	29.0毫米
包裝主體材料	塑料/環(huán)氧樹脂
包裝代碼	BGA
包裝等效代碼	BGA780,28X28,40
包裝形狀	廣場
包裝形式	網(wǎng)格陣列
制造商包裝說明	29 X 29 MM，1 MM間距，無鉛，F(xiàn)BGA-780

環(huán)境與出口分類

無鉛狀態(tài)	無鉛
水分敏感性水平(MSL)	3(168小時)

特點

10,570至79,040 LE 見表1-1
多達7,427,520個RAM位(928,440字節(jié))可用，而不減少邏輯資源
TriMatrixTM存儲器，由三種RAM塊大小組成，以實現(xiàn)真正的雙端口存儲器和先進先出(FIFO)緩沖區(qū)
高速DSP模塊提供乘法器(快于300 MHz)，乘法累加功能和有限脈沖響應(FIR)濾波器的專用實現(xiàn)
多達16個全局時鐘，每個設備區(qū)域具有22個時鐘資源
每個設備多達12個PLL(四個增強型PLL和八個快速PLL)可提供擴頻，可編程帶寬，時鐘切換，實時PLL重配置以及高級乘法和相移
支持多種單端和差分I / O標準
在多達116個通道上支持高速差分I / O，其中多達80個通道針對840兆比特(Mbps)進行了優(yōu)化
支持高速網(wǎng)絡和通信總線標準，包括RapidIO，UTOPIA IV，CSIX，HyperTransportTM技術(shù)，10G以太網(wǎng)XSBI，SPI-4階段2(POS-PHY級別4)，和SFI-4
對LVDS的差分片上匹配支持
支持高速外部存儲器，包括零總線周轉(zhuǎn)(ZBT)SRAM，四數(shù)據(jù)速率(QDR和QDRII)SRAM，雙數(shù)據(jù)速率(DDR)SDRAM，DDR快速周期RAM(FCRAM)和單數(shù)據(jù)速率(SDR) )SDRAM
在-6和更高速度級別的設備中支持66-MHz PCI(64和32位)，在-8和更快速度級別的設備中支持33-MHz PCI(64和32位)
在-5速度等級的設備中支持133 MHz PCI-X 1.0
在-6和更高速度等級的設備中支持100 MHz PCI-X 1.0
在-7速級設備中支持66-MHz PCI-X 1.0
支持AlteraMegaCore?功能和Altera Megafunction Partners Program(AMPPSM)宏功能中的多個知識產(chǎn)權(quán)宏功能
支持遠程配置更新