EP4SGX110HF35I4N 時間：2023/8/1 11:20:34 閱讀：406

產品概述

產品型號	EP4SGX110HF35I4N
描述	集成電路FPGA 488 I/O 1152FBGA
分類	集成電路(IC)，嵌入式-FPGA(現場可編程門陣列)
制造商	英特爾
系列	Stratix?IV GX
打包	托盤
零件狀態(tài)	過時的
電壓-電源	0.87V?0.93V
工作溫度	-40°C?100°C(TJ)
包裝/箱	1152-BBGA，FCBGA
供應商設備包裝	1152-FBGA(35x35)
基本零件號	EP4SGX110

產品圖片

EP4SGX110HF35I4N

規(guī)格參數

可編程邏輯類型	現場可編程門陣列
符合歐盟RoHS	是
狀態(tài)	轉移
最大時鐘頻率	717.0兆赫
JESD-30代碼	S-PBGA-B1152
JESD-609代碼	1號
總RAM位	9793536
CLB數量	42240.0
輸入數量	488.0
邏輯單元數	105600.0
輸出數量	488.0
端子數	1152
組織	42240 CLBS
峰值回流溫度(℃)	245
電源	0.9,1.2 / 3,1.5,2.5
資格狀態(tài)	不合格
座高	3.6毫米
子類別	現場可編程門陣列
電源電壓標稱	0.9伏
最小供電電壓	0.87伏
最大電源電壓	0.93伏
安裝類型	表面貼裝
技術	CMOS
終端完成	錫/銀/銅(Sn / Ag / Cu)
終端表格	球
端子間距	1.0毫米
終端位置	底部
時間@峰值回流溫度最大值(秒)	40
長度	35.0毫米
寬度	35.0毫米
包裝主體材料	塑料/環(huán)氧樹脂
包裝代碼	BGA
包裝等效代碼	BGA1152,34X34,40
包裝形狀	廣場
包裝形式	網格陣列
制造商包裝說明	無鉛，FBGA-1152

環(huán)境與出口分類

無鉛狀態(tài)/RoHS狀態(tài)	無鉛/符合RoHS
水分敏感性水平(MSL)	3(168小時)

特點

每臺設備72,600至813,050等效LE
Stratix IV GX和GT器件中多達48個基于CDR的全雙工收發(fā)器，分別支持高達8.5 Gbps和11.3 Gbps的數據速率
具有嵌入式PCIe硬IP模塊的完整PCIe協議解決方案，這些模塊實現PHY-MAC層，數據鏈路層和事務處理層功能
可編程的發(fā)射機預加重和接收機均衡電路，可補償物理介質中與頻率有關的損耗
每個通道的典型物理介質附件(PMA)功耗分別為3.125 Gbps和100 mW，6.375 Gbps時為135 mW
7,370至33,294 Kb的增強型TriMatrix存儲器，由三種RAM 塊大小組成，可實現真正的雙端口存儲器和FIFO緩沖區(qū)
高速數字信號處理(DSP)模塊，最高可配置為9 x 9位，12 x 12位，18 x 18位和36 x 36位全精度乘法器，最高頻率為600 MHz
每個設備最多16個全局時鐘(GCLK)，88個區(qū)域時鐘(RCLK)和132個外圍時鐘(PCLK)
可編程電源技術，可在最大程度降低功耗的同時最大化設備性能
多達1,120個用戶I / O引腳布置在24個模塊化I / O bank中，這些模塊支持廣泛的單端和差分I / O標準
支持多達24個模塊化I / O bank 上的高速外部存儲器接口，包括DDR，DDR2，DDR3 SDRAM，RLDRAM II，QDR II和QDR II + SRAM
具有串行器/解串器(SERDES)，動態(tài)相位對準(DPA)和soft-CDR電路的高速LVDS I / O支持，數據速率高達1.6 Gbps
支持源同步總線標準，包括SGMII，GbE，SPI-4 階段2(POS-PHY級別4)，SFI-4.1，XSBI，UTOPIA IV，NPSI和CSIX-L1
Stratix IV E器件的引腳排列，旨在允許將設計從Stratix III 遷移到Stratix IV E，而對PCB的影響最小
專用電路可支持流行串行協議的物理層功能，例如PCI Express(PCIe)(PIPE)Gen1和Gen2，Gbps以太網(GbE)，串行RapidIO，SONET / SDH，XAUI / HiGig，(OIF)CEI-6G ，SD / HD / 3G-SDI，光纖通道，SFI-5和Interlaken