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時(shí)間：2023/7/28 11:59:26
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產(chǎn)品型號(hào) | EP4SGX70HF35C2N |
描述 | 集成電路FPGA 488 I/O 1152FBGA |
分類 | 集成電路(IC)，嵌入式-FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) |
制造商 | 英特爾 |
系列 | Stratix?IV GX |
打包 | 托盤 |
零件狀態(tài) | 過時(shí)的 |
電壓-電源 | 0.87V?0.93V |
工作溫度 | 0°C?85°C(TJ) |
包裝/箱 | 1152-BBGA，F(xiàn)CBGA |
供應(yīng)商設(shè)備包裝 | 1152-FBGA(35x35) |
基本零件號(hào) | EP4SGX70 |
EP4SGX70HF35C2N
可編程邏輯類型 | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
符合歐盟RoHS | 是 |
狀態(tài) | 轉(zhuǎn)入 |
最大時(shí)鐘頻率 | 800.0兆赫 |
JESD-30代碼 | S-PBGA-B1152 |
JESD-609代碼 | 1號(hào) |
總RAM位 | 7564880 |
CLB數(shù)量 | 29040.0 |
輸入數(shù)量 | 488.0 |
邏輯單元數(shù) | 72600.0 |
輸出數(shù)量 | 488.0 |
端子數(shù) | 1152 |
最低工作溫度 | 0℃ |
最高工作溫度 | 85℃ |
組織 | 29040 CLBS |
峰值回流溫度(℃) | 245 |
電源 | 0.9,1.2 / 3,1.5,2.5 |
資格狀態(tài) | 不合格 |
座高 | 3.6毫米 |
子類別 | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
電源電壓標(biāo)稱 | 0.9伏 |
最小供電電壓 | 0.87伏 |
最大電源電壓 | 0.93伏 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
技術(shù) | CMOS |
溫度等級(jí) | 其他 |
終端完成 | 錫/銀/銅(Sn / Ag / Cu) |
終端表格 | 球 |
端子間距 | 1.0毫米 |
終端位置 | 底部 |
時(shí)間@峰值回流溫度最大值(秒) | 40 |
長度 | 35.0毫米 |
寬度 | 35.0毫米 |
包裝主體材料 | 塑料/環(huán)氧樹脂 |
包裝代碼 | BGA |
包裝等效代碼 | BGA1152,34X34,40 |
包裝形狀 | 廣場 |
包裝形式 | 網(wǎng)格陣列 |
制造商包裝說明 | FBGA-1152 |
無鉛狀態(tài)/RoHS狀態(tài) | 無鉛/符合RoHS |
水分敏感性水平(MSL) | 3(168小時(shí)) |
Stratix IV GX和GT器件中多達(dá)48個(gè)基于CDR的全雙工收發(fā)器，分別支持高達(dá)8.5 Gbps和11.3 Gbps的數(shù)據(jù)速率
專用電路支持流行的串行協(xié)議的物理層功能，例如PCI Express(PCIe)(PIPE)Gen1和Gen2，Gbps以太網(wǎng)(GbE)，串行RapidIO，SONET / SDH，XAUI / HiGig，(OIF)CEI-6G，SD / HD / 3G-SDI，光纖通道，SFI-5和Interlaken
具有嵌入式PCIe硬IP模塊的完整PCIe協(xié)議解決方案，這些模塊實(shí)現(xiàn)PHY-MAC層，數(shù)據(jù)鏈路層和事務(wù)處理層功能
可編程的發(fā)射機(jī)預(yù)加重和接收機(jī)均衡電路，可補(bǔ)償物理介質(zhì)中與頻率有關(guān)的損耗
每個(gè)通道的典型物理介質(zhì)附件(PMA)功耗分別為3.125 Gbps和100 mW，6.375 Gbps時(shí)為135 mW
每臺(tái)設(shè)備72,600至813,050等效LE
7,370至33,294 Kb的增強(qiáng)型TriMatrix存儲(chǔ)器，由三種RAM塊大小組成，可實(shí)現(xiàn)真正的雙端口存儲(chǔ)器和FIFO緩沖區(qū)
高速數(shù)字信號(hào)處理(DSP)模塊，最高可配置為9 x 9位，12 x 12位，18 x 18位和36 x 36位全精度乘法器，最高頻率為600 MHz
每個(gè)設(shè)備最多16個(gè)全局時(shí)鐘(GCLK)，88個(gè)區(qū)域時(shí)鐘(RCLK)和132個(gè)外圍時(shí)鐘(PCLK)
可編程電源技術(shù)，可在最大程度降低功耗的同時(shí)最大化設(shè)備性能
多達(dá)1,120個(gè)用戶I / O引腳布置在24個(gè)模塊化I / O bank中，這些模塊支持廣泛的單端和差分I / O標(biāo)準(zhǔn)
支持多達(dá)24個(gè)模塊化I / O bank 上的高速外部存儲(chǔ)器接口，包括DDR，DDR2，DDR3 SDRAM，RLDRAM II，QDR II和QDR II + SRAM
具有串行器/解串器(SERDES)，動(dòng)態(tài)相位對(duì)準(zhǔn)(DPA)和soft-CDR電路的高速LVDS I / O支持，數(shù)據(jù)速率高達(dá)1.6 Gbps
支持源同步總線標(biāo)準(zhǔn)，包括SGMII，GbE，SPI-4 階段2(POS-PHY級(jí)別4)，SFI-4.1，XSBI，UTOPIA IV，NPSI和CSIX-L1
Stratix IV E器件的引腳排列，旨在允許將設(shè)計(jì)從Stratix III 遷移到Stratix IV E，而對(duì)PCB的影響最小
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EP4SGX70HF35C2N符號(hào)
EP4SGX70HF35C2N腳印
