EPC1213PC8 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的增�(qiáng)型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(eGaN FET�。該器件基于先�(jìn)� GaN 技�(shù),提供卓越的開關(guān)性能和效�,適用于高頻、高功率密度的應(yīng)用場�。EPC1213PC8 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是替代傳�(tǒng)的硅� MOSFET,同時減小系�(tǒng)尺寸并提高效率�
其封裝形式為芯片級封裝(CSP�,有助于降低寄生電感,提升整體性能�
類型:增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體�
材料:氮化鎵(GaN�
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):75 mΩ(典型�,在 Vgs=4.5V 時)
擊穿電壓(BVDSS):100 V
柵極�(qū)動電壓(Vgs):0-6 V
連續(xù)漏極電流(Id):9 A(在 25°C 時)
開關(guān)速度:高�(dá) 1 MHz
�(jié)溫范圍:-55°C � +125°C
封裝:CSP
EPC1213PC8 提供了多種優(yōu)�,使其成為高性能電源�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。首先,它具有非常低的導(dǎo)通電�,能夠顯著減少傳�(dǎo)損�,從而提高系�(tǒng)的效��
其次,由于其支持高頻工作,因此可以使用更小的無源元件(如電感和電容),從而減小整個系�(tǒng)的尺寸和重量�
此外,EPC1213PC8 的芯片級封裝�(jìn)一步降低了寄生電感,提升了動態(tài)性能,并且簡化了 PCB 布局�(shè)�(jì)�
最�,與傳統(tǒng)的硅 MOSFET 相比,這款 GaN 器件具有更快的開�(guān)速度和更高的效率,非常適合需要高功率密度和快速響�(yīng)的應(yīng)用環(huán)��
EPC1213PC8 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. DC-DC �(zhuǎn)換器:用于服�(wù)器、通信�(shè)備和工業(yè)電源等場��
2. 無線充電:支持高效、緊湊的無線充電解決方案�
3. 激光雷�(dá)(LiDAR):�(shí)�(xiàn)快速脈沖生成和高精度距離測��
4. �(yī)療設(shè)備:例如超聲波發(fā)射器和其他需要高頻率和高效率的醫(yī)療儀��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、USB-PD 快充頭等�
這些�(yīng)用充分利用了 EPC1213PC8 的高效能和小型化特點(diǎn),滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對性能和空間的雙重需��
EPC2015C, EPC2016C