EPC1PI8N 是一款基于硅技術(shù)的高性能 N 溝道功率 MOSFET,適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制程工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
其封裝形式通常為小外形晶體管封裝(如 SOT-23 或更小尺寸),非常適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。這種 MOSFET 廣泛用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用中。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:4.7A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):50mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
柵極電荷:3.6nC(典型值)
開(kāi)關(guān)速度:快速
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝類型:SOT-23
EPC1PI8N 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,確保在高電流應(yīng)用中的損耗最小化。
2. 快速開(kāi)關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用,有助于減少磁性元件體積。
3. 高擊穿電壓,提供出色的可靠性和抗浪涌能力。
4. 小型封裝設(shè)計(jì),簡(jiǎn)化了 PCB 布局并節(jié)省空間。
5. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持一致性能。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求。
EPC1PI8N 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心開(kāi)關(guān)元件。
3. 負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
4. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
5. 小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制。
6. 各類便攜式電子設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方案。
AO3400A, FDMC182Z, IRF7412