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EPC2016C 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 15:54:50 查看 閱讀�37

EPC2016C 是由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的場效應(yīng)晶體管(FET�。該器件采用增強型設(shè)計,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于高頻、高效能的應(yīng)用場景。其封裝形式為芯片級封裝(CSP�,有助于減少寄生電感并提升整體性能�
  作為一款高性能 GaN FET,EPC2016C 在消費電�、通信�(shè)備以及工�(yè)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適合需要高效率和小型化的電源管理系�(tǒng)�

參數(shù)

型號:EPC2016C
  類型:增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
  額定電壓�100 V
  最大漏極電流:4.5 A
  導通電阻:9 mΩ(典型值,@Vgs=6V�
  柵極�(qū)動電壓范圍:3.3 V � 6 V
  工作溫度范圍�-55°C � +125°C
  封裝形式:芯片級封裝 (CSP)
  輸入電容�780 pF
  輸出電容�28 pF

特�

EPC2016C 的主要特性包括以下幾點:
  1. 高效開關(guān)性能:由于氮化鎵材料的特�,EPC2016C 能夠?qū)崿F(xiàn)比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 更快的開�(guān)速度,從而降低開�(guān)損耗�
  2. 低導通電阻:9 mΩ 的典型導通電阻使得器件在高電流應(yīng)用中具有更低的傳導損��
  3. 增強型設(shè)計:該器件只有在施加正向柵極�(qū)動電壓時才導通,這與耗盡� GaN 不同,簡化了電路�(shè)��
  4. 小尺寸封裝:芯片級封裝有助于減小系統(tǒng)體積,同時降低寄生電感對高頻性能的影��
  5. 寬工作溫度范圍:支持� -55°C � +125°C 的環(huán)境溫度范�,滿足多種應(yīng)用場景的需求�
  6. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的測試和驗�,確保在各種條件下的�(wěn)定運��

�(yīng)�

EPC2016C 廣泛�(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、反激式轉(zhuǎn)換器等設(shè)�,提供更高的效率和功率密度�
  2. 無線充電:支持更高頻率的諧振拓撲,以提高無線充電系統(tǒng)的效率�
  3. 激光雷達(LiDAR):利用其快速開�(guān)能力,驅(qū)動激光二極管以實�(xiàn)精確測距�
  4. D類音頻放大器:提供低失真和高保真的音頻輸出�
  5. 工業(yè)自動化:用于伺服�(qū)動器、電機控制以及其他需要高效功率管理的場合�
  6. 消費電子�(chǎn)品:如便攜式�(shè)備的快速充電模塊等�

替代型號

EPC2015C
  EPC2020C

epc2016c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

epc2016c資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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epc2016c參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�261,567�(xiàn)�
  • 價格1 : �19.48000剪切帶(CT�2,500 : �8.90249卷帶(TR�
  • 系列eGaN?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)GaNFET(氮化鎵�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)18A(Ta�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�5V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)16 毫歐 @ 11A�5V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.5V @ 3mA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)4.5 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)+6V�-4V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)420 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�模具
  • 封裝/外殼模具