EPCQ32SI8N 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司生產(chǎn)的基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管。該器件采用先�(jìn)� GaN-on-Silicon 工藝,具有卓越的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�,非常適合高�、高效能的應(yīng)用場��
與傳�(tǒng)的硅� MOSFET 相比,EPCQ32SI8N 的開�(guān)速度更快,寄生電感更低,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率并減小系統(tǒng)尺寸。這款芯片通常�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電模�、激光雷�(dá)(LiDAR)、包�(luò)跟蹤以及音頻放大器等對效率和頻率有高要求的領(lǐng)��
類型:GaN 功率晶體�
最大漏源電壓(Vds):100 V
連續(xù)漏極電流(Id):7 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):45 mΩ
柵極�(qū)動電壓(典型值)�6 V
反向恢復(fù)電荷(Qrr):< 2 nC
封裝形式:QFN 8x8 mm
工作溫度范圍�-55°C � +125°C
EPCQ32SI8N 的主要特�(diǎn)包括�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損耗,提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá)�(shù) MHz 的開�(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需��
3. 簡化的電路設(shè)�(jì),由于其� Qrr 和無反向恢復(fù)問題,可減少外圍元件的數(shù)��
4. 更小的熱阻抗,具備更好的散熱性能,從而增�(qiáng)長期可靠��
5. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,提高了器件在實(shí)際應(yīng)用中的魯棒��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�
EPCQ32SI8N 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是在電動汽�、工�(yè)電源和消�(fèi)電子中的�(yīng)��
2. 無線充電解決方案,支持高效率和快速充��
3. 激光雷�(dá)(LiDAR�,為自動駕駛汽車和無人機(jī)提供精確的距離測量功��
4. 包絡(luò)跟蹤,優(yōu)化射頻功率放大器的效��
5. 音頻放大�,降低失真并提升音質(zhì)表現(xiàn)�
6. 快速開�(guān)逆變器和其他需要高頻率操作的電力電子裝置�
EPC2016C
EPC2018C
EPC2020C