時間：2025/5/7 15:03:25
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EPCQ32SI8N 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司生產(chǎn)的基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的功率晶體管。該器件采用先進(jìn)的 GaN-on-Silicon 工藝，具有卓越的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性，非常適合高頻、高效能的應(yīng)用場景。
與傳統(tǒng)的硅基 MOSFET 相比，EPCQ32SI8N 的開關(guān)速度更快，寄生電感更低，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率并減小系統(tǒng)尺寸。這款芯片通常應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線充電模塊、激光雷達(dá)（LiDAR）、包絡(luò)跟蹤以及音頻放大器等對效率和頻率有高要求的領(lǐng)域。
類型：GaN 功率晶體管
最大漏源電壓（Vds）：100 V
連續(xù)漏極電流（Id）：7 A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：45 mΩ
柵極驅(qū)動電壓（典型值）：6 V
反向恢復(fù)電荷（Qrr）：< 2 nC
封裝形式：QFN 8x8 mm
工作溫度范圍：-55°C 至 +125°C
EPCQ32SI8N 的主要特點(diǎn)包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少導(dǎo)通損耗，提高整體效率。
2. 高速開關(guān)能力，支持高達(dá)數(shù) MHz 的開關(guān)頻率，滿足高頻應(yīng)用需求。
3. 簡化的電路設(shè)計(jì)，由于其低 Qrr 和無反向恢復(fù)問題，可減少外圍元件的數(shù)量。
4. 更小的熱阻抗，具備更好的散熱性能，從而增強(qiáng)長期可靠性。
5. 內(nèi)置靜電保護(hù)功能，提高了器件在實(shí)際應(yīng)用中的魯棒性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中。
EPCQ32SI8N 廣泛用于以下領(lǐng)域：
1. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，特別是在電動汽車、工業(yè)電源和消費(fèi)電子中的應(yīng)用。
2. 無線充電解決方案，支持高效率和快速充電。
3. 激光雷達(dá)（LiDAR），為自動駕駛汽車和無人機(jī)提供精確的距離測量功能。
4. 包絡(luò)跟蹤，優(yōu)化射頻功率放大器的效能。
5. 音頻放大器，降低失真并提升音質(zhì)表現(xiàn)。
6. 快速開關(guān)逆變器和其他需要高頻率操作的電力電子裝置。
EPC2016C
EPC2018C
EPC2020C
