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ETQP3M1R0KVP 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/15 15:33:02 查看 閱讀:17

ETQP3M1R0KVP 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效率功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù),能夠顯著降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)整體效率。
  ETQP3M1R0KVP 的設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求,同時(shí)具備出色的熱性能和可靠性。

參數(shù)

類型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
  材料:氮化鎵 (GaN)
  最大漏源電壓:600V
  最大連續(xù)漏極電流:3A
  導(dǎo)通電阻:160mΩ
  柵極電荷:35nC
  工作溫度范圍:-40°C 至 +125°C
  封裝形式:TO-252

特性

ETQP3M1R0KVP 具有以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓能力,適用于高壓應(yīng)用環(huán)境。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效減少傳導(dǎo)損耗。
  3. 快速開關(guān)速度,元件尺寸。
  4. 內(nèi)置保護(hù)功能,包括過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù),提升系統(tǒng)的可靠性和安全性。
  5. 優(yōu)秀的熱性能,有助于簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)并降低系統(tǒng)成本。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。

應(yīng)用

這款 GaN 功率晶體管適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),如適配器、充電器等。
  2. 工業(yè) DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  3. 太陽(yáng)能逆變器中的高頻電路。
  4. 電動(dòng)工具及家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
  5. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和其他需要高效能轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。

替代型號(hào)

ETQ035M1R0KVP, ETQP3M1R0KVN

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