ETQP3M1R0KVP 時(shí)間：2025/5/15 15:33:02 閱讀：17

ETQP3M1R0KVP 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效率功率晶體管，廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，能夠顯著降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)整體效率。
　　ETQP3M1R0KVP 的設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求，同時(shí)具備出色的熱性能和可靠性。

參數(shù)

類型：增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
　　材料：氮化鎵 (GaN)
　　最大漏源電壓：600V
　　最大連續(xù)漏極電流：3A
　　導(dǎo)通電阻：160mΩ
　　柵極電荷：35nC
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +125°C
　　封裝形式：TO-252

特性

ETQP3M1R0KVP 具有以下主要特性：
　　1. 高擊穿電壓能力，適用于高壓應(yīng)用環(huán)境。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻，可有效減少傳導(dǎo)損耗。
　　3. 快速開關(guān)速度，元件尺寸。
　　4. 內(nèi)置保護(hù)功能，包括過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)，提升系統(tǒng)的可靠性和安全性。
　　5. 優(yōu)秀的熱性能，有助于簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)并降低系統(tǒng)成本。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。

應(yīng)用

這款 GaN 功率晶體管適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS），如適配器、充電器等。
　　2. 工業(yè) DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　3. 太陽(yáng)能逆變器中的高頻電路。
　　4. 電動(dòng)工具及家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
　　5. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和其他需要高效能轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。