ETQP5M4R7YFC 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用增強� GaN 場效�(yīng)晶體管技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及無線充電等領(lǐng)��
其封裝形式為行業(yè)標準的表面貼裝類型,適合自動化生�(chǎn)流程,并提供良好的熱性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:70mΩ
柵極電荷�30nC
開關(guān)頻率:高�5MHz
�(jié)溫范圍:-55°C�+150°C
ETQP5M4R7YFC 的主要特點是采用了先進的氮化鎵材�,相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET,能夠顯著降低開�(guān)損耗和�(dǎo)通損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
此外,該器件還具備以下優(yōu)勢:
1. 超低的導(dǎo)通電�,減少傳�(dǎo)過程中的能量損失�
2. 高頻工作能力,支持更小型化的磁性元件設(shè)��
3. 快速開�(guān)速度,有效抑制電磁干��
4. �(nèi)置過流保護和過熱�(guān)斷功�,提高系�(tǒng)的可靠性與安全��
這款芯片廣泛�(yīng)用于需要高效率和高功率密度的場景中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supply�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動電�
4. 無線充電�(fā)射端
5. 光伏逆變�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換控制
EPC2016C, Infineon IPD60R090P7, ON Semiconductor NTMFS4C606N