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EVM2NSX80BE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 17:32:15 查看 閱讀�20

EVM2NSX80BE3 是一款專為高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)的增�(qiáng)型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管模塊。該器件�(jié)合了先�(jìn)� GaN 技�(shù)與優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),能夠在高頻開關(guān)條件下實(shí)�(xiàn)低損耗和高可靠�。其主要�(yīng)用于電源適配�、無線充電器、LED �(qū)�(dòng)器以� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
  該模塊內(nèi)置柵極驅(qū)�(dòng)保護(hù)電路,有效提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和耐用性。同�(shí),其超小尺寸的設(shè)�(jì)使其非常適合�(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場��

參數(shù)

額定電壓�650V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:100mΩ
  柵源電壓(最大):�20V
  �(jié)溫范圍:-40� � +150�
  封裝類型:QFN-8x8

特�

EVM2NSX80BE3 的主要特性包括:
  1. 基于增強(qiáng)模式氮化鎵(eGaN)技�(shù),具備更高的開關(guān)頻率和更低的開關(guān)損��
  2. �(nèi)置過流保�(hù)和熱�(guān)斷功�,增�(qiáng)了系�(tǒng)安全��
  3. 封裝形式緊湊,引腳布局�(jīng)過優(yōu)化以減少寄生電感的影��
  4. 支持高達(dá) 2MHz 的開�(guān)頻率,適合高� AC-DC � DC-DC �(yīng)��
  5. 提供�(yè)界領(lǐng)先的效率表現(xiàn),能夠顯著降低能量損��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保友好��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 快速充電器� USB-PD 充電器設(shè)�(jì)�
  2. 小型高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 智能家居�(shè)備中的電源管理單元�
  4. LED 照明�(qū)�(dòng)器�
  5. 無線充電�(fā)射端及接收端功率�(jí)控制�
  6. 工業(yè)�(shè)備中的輔助電源解決方��

替代型號(hào)

EVM2NSX80AE2
  EVM2NSX65CE4
  GAN041-650WSA

evm2nsx80be3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)