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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > EVM3ESX50B35

EVM3ESX50B35 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 15:36:40 查看 閱讀�32

EVM3ESX50B35是一款高效率、低功耗的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有出色的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,能夠在高頻工作條件下保持較低的能量損耗�
  其封裝形式通常為T(mén)O-220或DPAK,便于散熱管�,同�(shí)支持表面貼裝和通孔安裝兩種方式,適合各種工�(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品�

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流�35A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  總柵極電荷:80nC
  �(kāi)�(guān)速度:超高�
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

EVM3ESX50B35具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,減少磁性元件體��
  3. 出色的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,�(yōu)化了同步整流電路中的性能�
  5. �(qiáng)大的短路耐受能力,提升了系統(tǒng)的安全性與可靠��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 光伏逆變�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)
  EVM3ESX50B35憑借其高性能和高可靠�,在上述�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的電氣特性和�(wěn)定��

替代型號(hào)

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

evm3esx50b35推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)