EVM3ESX50B35是一款高效率、低功耗的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有出色的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,能夠在高頻工作條件下保持較低的能量損耗�
其封裝形式通常為T(mén)O-220或DPAK,便于散熱管�,同�(shí)支持表面貼裝和通孔安裝兩種方式,適合各種工�(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品�
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�35A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�45nC
總柵極電荷:80nC
�(kāi)�(guān)速度:超高�
工作溫度范圍�-55℃至175�
EVM3ESX50B35具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,減少磁性元件體��
3. 出色的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,�(yōu)化了同步整流電路中的性能�
5. �(qiáng)大的短路耐受能力,提升了系統(tǒng)的安全性與可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
該芯片廣泛應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域,包括但不限于�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 光伏逆變�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)
EVM3ESX50B35憑借其高性能和高可靠�,在上述�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的電氣特性和�(wěn)定��
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L