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EVM3YSX50B35 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:30:16 查看 閱讀�27

EVM3YSX50B35 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率�(zhuǎn)換模�,專為高�、高密度和高性能�(yīng)用設(shè)�(jì)。該模塊集成了驅(qū)�(dòng)電路和保�(hù)功能,適用于電源適配�、快充設(shè)備以及工�(yè)電源等場(chǎng)�。其封裝形式緊湊,適合空間受限的�(shè)�(jì)需��
  該器件采用先�(jìn)� GaN �(chǎng)效應(yīng)晶體� (FET),具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,可顯著降低開�(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號(hào):EVM3YSX50B35
  類型:GaN 功率�(zhuǎn)換模�
  工作電壓�10V - 600V
  最大電流:35A
  �(dǎo)通電阻:4mΩ(典型值)
  開關(guān)頻率:高�(dá) 2MHz
  封裝形式:QFN-8x8mm
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  保護(hù)功能:過流保�(hù)、過溫保�(hù)

特�

EVM3YSX50B35 的主要特性包括:
  1. 高效性能:得益于氮化鎵技�(shù),該模塊能夠以極低的開關(guān)損耗和�(dǎo)通損耗實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
  2. 快速開�(guān)能力:支持高�(dá) 2MHz 的開�(guān)頻率,使�(shè)�(jì)師可以減少磁性元件的體積,從而縮小整體解決方案的尺寸�
  3. 集成化設(shè)�(jì):內(nèi)置了�(qū)�(dòng)器和多種保護(hù)�(jī)�,簡(jiǎn)化了外部電路�(shè)�(jì)并提高了系統(tǒng)的可靠��
  4. 寬電壓范圍:支持� 10V � 600V 的寬輸入電壓范圍,適�(yīng)多種�(yīng)用場(chǎng)��
  5. 緊湊型封裝:采用 QFN-8x8mm 封裝,非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��

�(yīng)�

EVM3YSX50B35 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. USB-PD 快充適配�
  2. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. LED 照明�(qū)�(dòng)�
  5. 通信電源
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效電源管理解決方案

替代型號(hào)

EVM3YSX50B30
  EVM3YSX50B50

evm3ysx50b35推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)