F1958NBGK8 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等場�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠��
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,具有高擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定�,非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
型號:F1958NBGK8
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏極電流(Id):30A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
總功耗:45W
工作溫度范圍�-55� � +175�
F1958NBGK8 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流應(yīng)用中減少功率損��
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻電路設(shè)計�
3. 高擊穿電壓(Vds�,確保在高壓�(huán)境下可靠�(yùn)行�
4. 具備出色的熱�(wěn)定性和耐用�,適�(yīng)�(yán)苛的工作�(huán)境�
5. �(yōu)化的封裝�(shè)�,有助于提高散熱性能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
F1958NBGK8 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
2. 電動工具和家用電器的電機(jī)�(qū)動�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載控��
4. DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理�
6. 各種需要高效能量轉(zhuǎn)換和大電流承載能力的場景�
F1958NBFK8, IRF540N, FDP5800