F3NK80Z是來(lái)自O(shè)N Semiconductor的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用TO-263封裝,廣泛應(yīng)用于各種需要高效開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通損耗的�(chǎng)�。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻使其成為電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用的理想選擇�
F3NK80Z的主要特�(diǎn)是能夠在高壓條件下提供較低的�(dǎo)通電�,同�(shí)具備快速開(kāi)�(guān)性能。此�,它還具有出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能,這使得它在功率電子設(shè)�(jì)中非常受歡迎�
最大漏源電壓:800V
連續(xù)漏極電流�1.1A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):550Ω
柵極電荷�4nC
輸入電容�280pF
總功耗:1.7W
工作溫度范圍�-55°C to +150°C
F3NK80Z是一款專為高壓應(yīng)用設(shè)�(jì)的MOSFET,具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力:支持高�(dá)800V的漏源電壓,適用于各種高壓環(huán)��
2. 超低�(dǎo)通電阻:在特定條件下,導(dǎo)通電阻僅�550Ω,顯著降低了功率損耗�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:由于其較小的柵極電�,開(kāi)�(guān)速度更快,適合高頻應(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性:能夠承受較寬的工作溫度范圍,確保在極端條件下的可靠運(yùn)��
5. 小巧封裝:采用TO-263封裝,便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
這些特性使F3NK80Z非常適合用于�(kāi)�(guān)電源、逆變器、電�(jī)控制等領(lǐng)��
F3NK80Z適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):利用其高耐壓和低�(dǎo)通電阻特�,提高電源效��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在降壓或升壓轉(zhuǎn)換電路中充當(dāng)高效的開(kāi)�(guān)元件�
3. 逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)換為交流電的�(shè)備中,如太陽(yáng)能逆變��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制電�(jī)的速度和方向,特別是在高壓電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)��
5. 電池保護(hù)電路:防止過(guò)充或�(guò)�,延�(zhǎng)電池壽命�
由于其卓越的電氣特性和可靠�,F(xiàn)3NK80Z成為了許多工程師在設(shè)�(jì)高壓功率電路�(shí)的首選元件�
FDP9478,
IRF840,
STP11NK80Z