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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > F6QG2G655P2KE-J

F6QG2G655P2KE-J 發(fā)布時間 時間�2025/4/27 13:30:16 查看 閱讀�33

F6QG2G655P2KE-J 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件廣泛�(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通損耗的場景,如電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)自動化等�(lǐng)�。其高耐壓和低�(dǎo)阻特性使其適用于中高功率�(yīng)用環(huán)境�

參數(shù)

類型:N溝道增強� MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�650V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�2A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8Ω
  總功�(Ptot)�1.7W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55� � +150�
  封裝形式:TO-277

特�

F6QG2G655P2KE-J 的主要特點是具備高耐壓能力�650V)和較低的導(dǎo)通電阻(1.8Ω�。這使得該器件在高頻開�(guān)�(yīng)用中能夠顯著降低�(dǎo)通損�,從而提升系�(tǒng)效率�
  此外,它還具有快速開�(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運行�
  由于� TO-277 封裝�(shè)�,該器件具備良好的散熱性能,非常適合用于功率轉(zhuǎn)換器、逆變器以及各種開�(guān)電源電路�

�(yīng)�

F6QG2G655P2KE-J 廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)�,包括但不限于以下:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機控制與驅(qū)�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  6. 光伏逆變�
  7. LED �(qū)動器
  8. 各種電子負載保護電路

替代型號

FQR1P65U,
  FDP18N65,
  IXFN65P2L,
  STP2NE65,
  IRFPG50

f6qg2g655p2ke-j推薦供應(yīng)� 更多>

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