F6QG2G655P2KE-J 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件廣泛�(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通損耗的場景,如電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)自動化等�(lǐng)�。其高耐壓和低�(dǎo)阻特性使其適用于中高功率�(yīng)用環(huán)境�
類型:N溝道增強� MOSFET
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�2A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8Ω
總功�(Ptot)�1.7W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +150�
封裝形式:TO-277
F6QG2G655P2KE-J 的主要特點是具備高耐壓能力�650V)和較低的導(dǎo)通電阻(1.8Ω�。這使得該器件在高頻開�(guān)�(yīng)用中能夠顯著降低�(dǎo)通損�,從而提升系�(tǒng)效率�
此外,它還具有快速開�(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運行�
由于� TO-277 封裝�(shè)�,該器件具備良好的散熱性能,非常適合用于功率轉(zhuǎn)換器、逆變器以及各種開�(guān)電源電路�
F6QG2G655P2KE-J 廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)�,包括但不限于以下:
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機控制與驅(qū)�
4. 工業(yè)自動化設(shè)�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
6. 光伏逆變�
7. LED �(qū)動器
8. 各種電子負載保護電路
FQR1P65U,
FDP18N65,
IXFN65P2L,
STP2NE65,
IRFPG50