F8H3N是一款高性能的MOSFET晶體管,廣泛應用于功率轉�、電機驅動以及開關電源等領域。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功��
該型號屬于N溝道增強型MOSFET,其設計旨在滿足�(xiàn)代電子設備對高效能和可靠性的嚴格要求。通過�(yōu)化的芯片結構和封裝技�,F(xiàn)8H3N能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關時間:ton=12ns, toff=25ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
F8H3N具備出色的電氣特性和�(huán)境適應能��
1. 低導通電阻(Rds(on))使其在大電流應用中表現(xiàn)出較低的功耗�
2. 高速開關性能支持高頻操作,適合于開關電源和DC-DC轉換��
3. �(nèi)置ESD保護功能增強了器件的抗靜電能�,提高了可靠��
4. 封裝形式為TO-220,便于散熱管�,同時簡化了PCB布局設計�
5. 耐熱性能�(yōu)秀,能夠在極端溫度條件下長時間�(wěn)定運��
F8H3N適用于多種電力電子場�,包括但不限于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
2. DC-DC轉換器中的功率開�,用于提升轉換效率�
3. 電機驅動電路中的功率級元�,用于控制電機轉速和方向�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�,實�(xiàn)快速充放電切換�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率調(diào)節(jié)模塊,確保設備運行穩(wěn)定�
F8H3P, IRF840, STP20NF06