FA5613N-D1-TE1 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等場景。該器件采用先進的溝槽� MOSFET 技�(shù)制�,具有低導通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低功�。此外,其封裝形式經(jīng)過優(yōu)�,適用于高密度設(shè)計,并具備出色的熱性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�13A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�28nC
反向恢復時間�9ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263
FA5613N-D1-TE1 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,可有效減少傳導損耗,提高整體效率�
2. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
3. 高度可靠的封裝設(shè)計,能夠在惡劣環(huán)境下保持�(wěn)定運��
4. 支持寬廣的工作溫度范�,適用于工業(yè)及汽車級�(yīng)��
5. �(nèi)� ESD 保護功能,增強芯片的抗靜電能力�
6. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要求�
該器件適用于多種電力電子�(lǐng)�,具體包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器,例如降壓或升壓�(zhuǎn)換器�
3. 電動工具、家用電器以及工�(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換與保��
5. LED �(qū)動器和其他高效能電源管理電路�
FA5613N-D1-TL1
IRFZ44N
FDP5501