FA6A00N-N6-L3是一款基于硅技�(shù)�(shè)�(jì)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件適用于高頻開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和高可靠�。它廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備以及電源管理等�(lǐng)��
FA6A00N-N6-L3采用了先�(jìn)的制造工�,使其能夠在較高的工作頻率下保持�(yōu)異的性能,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和電氣特��
最大漏源電壓:60V
持續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:2.8mΩ
柵極電荷�49nC
輸入電容�1780pF
總耗散功率�158W
工作溫度范圍�-55� to +175�
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低功率損�,提高效��
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩能力,能夠承受異常條件下的過載情況�
4. 熱穩(wěn)定性好,確保在高溫�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
5. 小尺寸封�,節(jié)省PCB空間�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
7. 提供卓越的電氣特性和抗干擾能��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動與控制
4. LED照明�(qū)動電�
5. 充電器和適配�
6. 工業(yè)自動化設(shè)�
7. 通信基站功率模塊
IRF640N
FDP037N06L
STP18NF06L