時間：2025/4/28 15:32:17
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FC0H474ZFTBR32 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換等應用。該器件采用先進的半導體制造工藝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，能夠在高頻工作條件下保持高效能表現(xiàn)。
該芯片屬于 N 溝道增強型場效應晶體管，適用于需要快速切換和低損耗的應用場景。其封裝形式通常為 TO-220 或 DPAK，具體取決于制造商的設計要求。
最大漏源電壓：100V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：25A
導通電阻：4.5mΩ
總功耗：150W
工作結溫范圍：-55℃ 至 175℃
FC0H474ZFTBR32 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，從而降低傳導損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關性能，具備低柵極電荷 (Qg) 和輸出電荷 (Qoss)，適合高頻應用。
3. 高雪崩能量能力，增強了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 內置 ESD 保護功能，提高了器件的靜電防護能力。
5. 符合 RoHS 標準，綠色環(huán)保，適用于多種工業(yè)應用場景。
FC0H474ZFTBR32 廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源 (SMPS) 中作為主開關或同步整流器。
2. 電動工具及家用電器中的電機驅動電路。
3. 工業(yè)自動化設備中的 DC-DC 轉換模塊。
4. 新能源汽車中的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和逆變器。
5. LED 照明系統(tǒng)的驅動電路以及光伏逆變器等新能源相關產品。
IRF840, FQP18N10, STP10NK60Z
