FC0H474ZFTBR32 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開關電�、電機驅動和 DC-DC 轉換等應用。該器件采用先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻工作條件下保持高效能表現(xiàn)�
該芯片屬� N 溝道增強型場效應晶體管,適用于需要快速切換和低損耗的應用場景。其封裝形式通常� TO-220 � DPAK,具體取決于制造商的設計要��
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻:4.5mΩ
總功耗:150W
工作結溫范圍�-55� � 175�
FC0H474ZFTBR32 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),從而降低傳導損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開關性能,具備低柵極電荷 (Qg) 和輸出電� (Qoss),適合高頻應��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的魯棒��
4. 內置 ESD 保護功能,提高了器件的靜電防護能��
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保,適用于多種工�(yè)應用場景�
FC0H474ZFTBR32 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) 中作為主開關或同步整流器�
2. 電動工具及家用電器中的電機驅動電��
3. 工業(yè)自動化設備中� DC-DC 轉換模塊�
4. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng) (BMS) 和逆變器�
5. LED 照明系統(tǒng)的驅動電路以及光伏逆變器等新能源相關產��
IRF840, FQP18N10, STP10NK60Z