時(shí)間：2025/4/28 15:18:59
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FCP11N60是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220封裝形式。該器件具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了熱性能和電氣性能，使其能夠勝任嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
最大漏源電壓：600V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：11A
導(dǎo)通電阻：4.8Ω
總功耗：160W
結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
FCP11N60具備以下顯著特點(diǎn)：
1. 高耐壓能力，適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
2. 低導(dǎo)通電阻，在高電流條件下提供更高的效率。
3. 快速開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)，能夠在極端溫度范圍內(nèi)正常工作。
5. 具有優(yōu)異的雪崩能力和抗干擾性能，確保在異常條件下的可靠性。
6. 封裝堅(jiān)固耐用，便于散熱處理。
FCP11N60主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換電路。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和逆變器。
3. 不間斷電源（UPS）系統(tǒng)。
4. LED照明驅(qū)動器。
5. 各類高壓負(fù)載切換電路。
6. 電磁閥和繼電器驅(qū)動等需要高效功率控制的場合。
IRF840, STP11NK60Z, K1106
