FCP11N60是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件具有高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了熱性能和電氣性能,使其能夠勝任嚴(yán)苛的工作�(huán)��
最大漏源電壓:600V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻:4.8Ω
總功耗:160W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
FCP11N60具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻,在高電流條件下提供更高的效率�
3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在極端溫度范圍�(nèi)正常工作�
5. 具有�(yōu)異的雪崩能力和抗干擾性能,確保在異常條件下的可靠性�
6. 封裝�(jiān)固耐用,便于散熱處理�
FCP11N60主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換電��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動和逆變��
3. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
4. LED照明�(qū)動器�
5. 各類高壓�(fù)載切換電��
6. 電磁閥和繼電器驅(qū)動等需要高效功率控制的場合�
IRF840, STP11NK60Z, K1106