FCPF11N65是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用TO-247封裝形式,廣泛用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等應(yīng)用領(lǐng)�。其主要特點是具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)特�,適合在高頻和高效率電路中使用�
FCPF11N65的工作電壓范圍較�,能夠承受高�650V的漏源極電壓,同時具備較低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏電流:11A
導通電阻:3.8Ω
柵極電荷�95nC
總功耗:175W
工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
1. 高擊穿電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運行�
2. 極低的導通電阻(典型值為3.8Ω�,可有效降低導通損耗�
3. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
4. 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒性和可靠��
5. TO-247封裝提供良好的散熱性能,適用于大功率應(yīng)用環(huán)��
6. 工作溫度范圍寬(-55℃至175℃),適�(yīng)各種極端條件下的操作需��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
2. 電機�(qū)動器中的功率級開�(guān)�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
4. 太陽能逆變器和其他高頻功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
5. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)及功率變換電路�
6. LED照明�(qū)動器中的高效功率�(zhuǎn)換組件�
IRFP260N, STP11NK65Z