時間：2024/8/23 14:36:10
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SuperFET?II MOSFET是飛兆半導(dǎo)體全新的高壓超結(jié)（SJ）MOSFET系列，它利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)了出色的低導(dǎo)通電阻和較低的柵極電荷性能。該技術(shù)旨在最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此外，內(nèi)部柵源ESD二極管允許承受超過2kV的HBM浪涌應(yīng)力。因此，SuperFET II MOSFET非常適合開關(guān)電源應(yīng)用，如音頻、筆記本電腦適配器、照明、ATX電源和工業(yè)電源應(yīng)用。
類型。RDS（開啟）=340 mΩ
超低柵極電荷（典型Qg=43nC）
低電阻（典型值4.1 uJ 400 V）
低有效輸出電容（典型Coss（eff.）=138 pF）
100%雪崩測試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
ESD改進(jìn)能力
針腳數(shù)：3
漏源極電阻：0.34Ω
耗散功率：35.7 W
閾值電壓：4.5 V
輸入電容：1770 pF
漏源極電壓(Vds)：800 V
上升時間：12 ns
輸入電容(Ciss)：1770pF 100V(Vds)
下降時間：2.6 ns
工作溫度(Max)：150℃
工作溫度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：35700 mW
安裝方式：Through Hole
引腳數(shù)：3
封裝：TO-220
長度：10.36 mm
寬度：4.9 mm
高度：16.07 mm
封裝：TO-220
產(chǎn)品生命周期：Active
包裝方式：Tube
制造應(yīng)用：通信與網(wǎng)絡(luò),電源管理,照明,工業(yè)
