FDA50N50是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應�。其高擊穿電壓、低導通電阻和快速開�(guān)特�,使其成為高效能功率管理應用的理想選擇�
該器件的工作電壓高達500V,能夠承受較高的反向電壓,同時具備較低的導通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:500V
最大柵源電壓:±20V
漏極電流�1.6A
導通電阻:3.5Ω
總功耗:75W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
FDA50N50具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力,額定漏源電壓為500V,適合高壓應用環(huán)��
2. 低導通電阻(3.5Ω�,有效降低傳導損��
3. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損耗并提高效率�
4. 小型化設(shè)�,采用標準TO-220封裝,易于安裝和集成�
5. 寬工作溫度范圍(-55℃至+150℃),適應各種惡劣環(huán)境條件�
6. �(nèi)置雪崩保護功�,增強器件的可靠性和耐用性�
該器件廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流電��
3. 電機�(qū)動電路中的功率控��
4. 負載開關(guān)和保護電��
5. 各種工業(yè)控制和汽車電子設(shè)備中的功率管理模��
IRF840, STP50NF06, K1009N