FDB150N10是一款N溝道功率MOSFET,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì)而成。該器件適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。其主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,有助于提高效率并減少功率損��
FDB150N10在封裝上通常采用TO-220或DPAK等形�,便于散熱和安裝。由于其出色的電氣性能,這款MOSFET被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信系統(tǒng)��
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻(典型值)�9.5mΩ
柵極電荷�37nC
開關(guān)�(shí)間:ton=14ns, toff=18ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
FDB150N10具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,從而減小無(wú)源元件體積�
3. �(qiáng)大的雪崩耐量能力,增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,確保器件在極端溫度條件下仍能正常�(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求�
FDB150N10適用于多種電力電子應(yīng)用,包括但不限于以下�(chǎng)景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和主開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率管理模塊�
IRFZ44N
STP150N10
FDP150N10