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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDB15N50

FDB15N50 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 14:37:34 查看 閱讀�19

FDB15N50是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等需要高效能和高電壓處理能力的場(chǎng)景中�
  這款MOSFET采用TO-220封裝形式,具有較高的耐壓能力和較低的�(dǎo)通電阻特�,能夠滿足各種工�(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�15A
  柵源�(kāi)啟電壓:4V
  �(dǎo)通電阻:0.6Ω
  總功耗:140W
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

FDB15N50具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓:支持高�(dá)500V的漏源電壓,適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 較低的導(dǎo)通電阻:在額定條件下,導(dǎo)通電阻僅�0.6Ω,有助于降低功率損耗�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度:其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(kāi)�(guān)性能,從而提高了效率并減少了電磁干擾(EMI��
  4. �(wěn)定性強(qiáng):能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定的電氣性能,適用于工業(yè)�(jí)�(yīng)��
  5. 高可靠性:通過(guò)�(yán)格的制造工藝和�(zhì)量控制流�,確保長(zhǎng)期使用中的穩(wěn)定性和耐用��

�(yīng)�

FDB15N50主要�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):如適配器、充電器等需要高壓轉(zhuǎn)換效率的�(yīng)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流無(wú)刷電�(jī)(BLDC�、步�(jìn)電機(jī)等的�(yùn)行狀�(tài)�
  3. 逆變器:太陽(yáng)能逆變�、不間斷電源(UPS)系�(tǒng)等需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)合�
  4. 電力電子�(shè)備:如電焊機(jī)、LED�(qū)�(dòng)器等�(duì)功率管理有較高要求的�(shè)備�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:包括伺服控制�、機(jī)器人�(qū)�(dòng)等需要精確控制電流和電壓的系�(tǒng)�

替代型號(hào)

IRF840, STP15NF50, FQP17N50

fdb15n50推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdb15n50資料 更多>

  • 型號(hào)
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fdb15n50參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫歐 @ 7.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1850pF @ 25V
  • 功率 - 最�300W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-263AB
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDB15N50-NDFDB15N50TR