FDB33N25TM 是一款由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于各類電源管理及功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)�。其額定電壓� 25V,適用于需要高效功率處理的工業(yè)、消�(fèi)電子以及通信�(lǐng)域�
FDB33N25TM 的設(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之間的平衡,適合高頻開�(guān)�(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器、負(fù)載開�(guān)和多相電源等。此�,其封裝形式通常為表面貼裝類型(� SO-8 � PowerPAK�,便于現(xiàn)� PCB �(shè)�(jì)中的自動(dòng)化裝��
最大漏源電壓:25V
連續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
柵極電荷�10nC(典型值)
總電容(Ciss):3200pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:PowerPAK SO-8
功耗:� 6W(取決于散熱條件�
FDB33N25TM 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),確保在高電流應(yīng)用中降低�(dǎo)通損��
2. 高額定電流能�,支持高�(dá) 33A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)性能,得益于較低的柵極電荷和輸出電荷,適用于高頻�(yīng)��
4. 高可靠性設(shè)�(jì),能夠在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)惡劣�(huán)��
5. 表面貼裝封裝(PowerPAK SO-8),具備良好的熱性能和電氣性能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求�
7. �(nèi)置靜電防�(hù)功能,提高器件在�(shí)際使用中的魯棒性�
FDB33N25TM 可用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
3. 多相降壓�(zhuǎn)換器中的上橋臂或下橋� MOSFET�
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路中的功率開關(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)�(dòng)電路�
7. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)器�
由于其高效的功率處理能力和快速的開關(guān)速度,F(xiàn)DB33N25TM 在需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
FDP55N20,
FDS6670,
IRL3103PBF