FDB3502是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),主要用于功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合各種高效能需求的電路�(shè)�(jì)�
該MOSFET適用于消�(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及汽車電子等�(lǐng)�,能夠有效提升系�(tǒng)的效率并降低能��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
�(dǎo)通電阻:2.9mΩ
柵極電荷�77nC
輸入電容�2820pF
工作溫度范圍�-55℃至150�
FDB3502具備超低�(dǎo)通電阻,能夠顯著減少傳導(dǎo)損�,從而提高整體效率。其快速開�(guān)特性使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和抗浪涌能��
該器件還采用了DFN8封裝形式,有助于提高散熱性能和節(jié)省PCB空間。此�,它支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和提高可靠��
FDB3502廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、同步整�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理模�、LED照明�(qū)�(dòng)電路等場(chǎng)��
由于其高效的開關(guān)性能和低功耗特�(diǎn),這款MOSFET非常適合�(duì)能效要求較高的場(chǎng)�,如筆記本電腦適配器、平板電視電源以及電�(dòng)車充電系�(tǒng)等�
FDP5502
FDS6680
IRF7739