FDC604P-NL 是一� N 溝道邏輯增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件通常用于需要高效開關和低導通電阻的應用場景�。其設計旨在提供卓越的性能,特別是在高頻開關應用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:4.8A
導通電阻(Rds(on)):150mΩ
柵極電荷�1.8nC
開關時間:ton=10ns, toff=15ns
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
FDC604P-NL 具有較低的導通電�,這有助于減少功率損耗并提高效率�
它支持較高的開關速度,使其非常適合于高頻應用�(huán)��
具備良好的熱�(wěn)定�,在寬泛的工作溫度范圍內仍能保持�(wěn)定的性能�
MOSFET 的增強型結構意味著在正向柵極電壓下開啟,并在零或負向電壓下關閉,控制簡單且可��
由于其封裝小�,適合用于對空間要求嚴格的電路設��
該器件廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制和通信設備中的開關電源、電機驅動以及負載切換等領域�
常用� DC-DC 轉換器、電池保護電�、LED 驅動器和音頻放大器等場景�
FDC604P-NL 的低導通電阻和高頻率特性使其成為許多功率管理應用的理想選擇�
FDC603P-NL
FDC604P-L
FDS604P