FDC637BNZ是一款N溝道增強型MOSFET,采用SOT-23封裝形式。該器件適用于多種低功率�(yīng)用場合,具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高可靠性的特點。由于其小尺寸和高效性能,F(xiàn)DC637BNZ在便攜式電子�(shè)�、電源管理電路以及信號切換等場景中表�(xiàn)�(yōu)��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.5Ω(典型值,Vgs=10V時)
總功耗:410mW
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
FDC637BNZ具備以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻:有助于減少導(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 快速開�(guān)能力:適合高頻應(yīng)用場��
3. 小型化設(shè)計:SOT-23封裝使其非常適合空間受限的設(shè)��
4. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測試以確保長期�(wěn)定運��
5. 寬工作溫度范圍:適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條件下的使用需��
FDC637BNZ廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
3. �(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)電路�
4. 電機(jī)�(qū)動和音頻信號切換�
5. 各種便攜式設(shè)備如智能手機(jī)、平板電腦及可穿戴設(shè)備的電源管理部分�
FDS6670AZ
FDMC6670
AO3400A