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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FDC638APZ

FDC638APZ 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 15:33:08 查看 閱讀�27

FDC638APZ是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用先進的半導體制造工�。該器件具有較低的導通電阻和較高的電流處理能力,適用于需要高效能和高可靠性的應用場合。其小型化的封裝形式使其非常適合于空間受限的設計�(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�24A
  導通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�28nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

FDC638APZ具有非常低的導通電阻,這有助于減少功率損耗并提高整體效率。同�,它還具備較高的電流承載能力和良好的熱性能,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運�。此�,該器件的快速開�(guān)特性使其特別適合高頻開�(guān)應用�
  該MOSFET采用了先進的屏蔽柵極技�(shù),從而顯著降低了導通電阻和柵極電荷之間的折衷問�。這種設計不僅提高了效率,還優(yōu)化了動態(tài)性能,減少了電磁干擾(EMI)�
  FDC638APZ還具備優(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力(ESD�,進一步增強了其可靠性。這些特點使得該器件非常適合用于電機驅(qū)動、電源管理以及DC-DC�(zhuǎn)換器等應用領(lǐng)��

應用

FDC638APZ廣泛應用于各種高性能電力電子系統(tǒng)�,包括但不限于:
  - 筆記本電腦和臺式機電源適配器
  - 開關(guān)模式電源(SMPS�
  - 電動工具中的無刷直流電機�(qū)�
  - 汽車電子中的負載切換
  - 工業(yè)自動化設備中的電源管�
  - 多相VRM/DHV應用中的功率級開�(guān)

替代型號

FDC638PZ, FDS638APZ

fdc638apz推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdc638apz資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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fdc638apz參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C43 毫歐 @ 4.5A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 10V
  • 功率 - 最�800mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
  • 供應商設備封�6-SSOT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDC638APZTR