FDC638APZ是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用先進的半導體制造工�。該器件具有較低的導通電阻和較高的電流處理能力,適用于需要高效能和高可靠性的應用場合。其小型化的封裝形式使其非常適合于空間受限的設計�(huán)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�24A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�28nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至175�
FDC638APZ具有非常低的導通電阻,這有助于減少功率損耗并提高整體效率。同�,它還具備較高的電流承載能力和良好的熱性能,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運�。此�,該器件的快速開�(guān)特性使其特別適合高頻開�(guān)應用�
該MOSFET采用了先進的屏蔽柵極技�(shù),從而顯著降低了導通電阻和柵極電荷之間的折衷問�。這種設計不僅提高了效率,還優(yōu)化了動態(tài)性能,減少了電磁干擾(EMI)�
FDC638APZ還具備優(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力(ESD�,進一步增強了其可靠性。這些特點使得該器件非常適合用于電機驅(qū)動、電源管理以及DC-DC�(zhuǎn)換器等應用領(lǐng)��
FDC638APZ廣泛應用于各種高性能電力電子系統(tǒng)�,包括但不限于:
- 筆記本電腦和臺式機電源適配器
- 開關(guān)模式電源(SMPS�
- 電動工具中的無刷直流電機�(qū)�
- 汽車電子中的負載切換
- 工業(yè)自動化設備中的電源管�
- 多相VRM/DHV應用中的功率級開�(guān)
FDC638PZ, FDS638APZ