国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FDC640P-NBAD004A

FDC640P-NBAD004A 發(fā)布時間 時間�2025/3/19 18:03:46 查看 閱讀�54

FDC640P-NBAD004A 是一款高性能� N 溝道功率 MOSFET。該器件專為需要高效率、低導通電阻和快速開�(guān)性能的應(yīng)用而設(shè)計。它具有出色的熱性能和電氣特�,能夠在各種嚴苛的工作條件下�(wěn)定運行。這種 MOSFET 通常用于電源管理、電機驅(qū)�、負載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�,其緊湊的封裝形式使得它在空間受限的�(shè)計中也能輕松�(yīng)��
  這款 MOSFET 的額定電壓為 60V,能夠承受較高的漏源電壓,確保了其在高壓�(huán)境下的可靠工�。同�,它的最大連續(xù)漏極電流(ID)可以達� 39A,滿足大電流�(yīng)用的需求。此�,該器件還具備超低的導通電�,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號:FDC640P-NBAD004A
  類型:N溝道功率MOSFET
  封裝:TO-263-3 (D2PAK)
  額定電壓(VDS):60V
  最大連續(xù)漏極電流(ID):39A
  導通電阻(RDS(on)):2.5mΩ @ VGS = 10V
  柵極電荷(Qg):70nC
  總功耗(PD):160W

特�

- 超低導通電阻:� MOSFET 的導通電阻非常小,僅� 2.5mΩ(當柵極電壓� 10V 時),這使得它在導通狀�(tài)下產(chǎn)生的熱量極少,從而提高了整個電路的效率�
  - 快速開�(guān)性能:較小的柵極電荷�70nC)保證了該器件擁有快速的開關(guān)速度,減少了開關(guān)損�,并且有助于實現(xiàn)更高效的電源�(zhuǎn)��
  - 高可靠性:即使在惡劣的工作�(huán)境下,如高溫或高頻操作中,F(xiàn)DC640P-NBAD004A 依然表現(xiàn)出色,具有良好的�(wěn)定性和長壽��
  - 緊湊型封裝:采用 TO-263-3 (D2PAK) 封裝形式,不僅節(jié)省了 PCB 板上的空�,而且便于安裝和散熱設(shè)計�

�(yīng)�

- 電源管理系統(tǒng):包括但不限� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器、逆變器等,在這些系統(tǒng)中作為主開關(guān)元件使用,以提供高效�(wěn)定的電力輸出�
  - 電機�(qū)動控制:可用于無刷直流電� (BLDC) 或步進電機控制器�,負責電流的通斷控制以及�(diào)速功能�
  - 汽車電子�(shè)備:例如車載充電�、LED 照明�(qū)動等,由于其�(yōu)異的耐壓能力和抗干擾性能,特別適合于汽車�(nèi)部復雜電磁環(huán)��
  - 工業(yè)自動化裝置:像伺服放大器、PLC 輸入輸出模塊�,對功率處理要求較高的場合�

替代型號

- CSD18541Q5A:同樣是 N 溝道功率 MOSFET,具有相近的電氣參數(shù),但采用了更小尺寸的封裝,適合空間有限的�(shè)計�
  - IRF3205:經(jīng)典的 N 溝道 MOSFET,雖然導通電阻略高于 FDC640P-NBAD004A,但在某些情況下可能是一個成本較低的選擇�
  - AON6810:具有更低的導通電阻和更快的開�(guān)速度,適用于更高效率要求的應(yīng)用場景�
  請注�,在選擇替代�(chǎn)品時,應(yīng)仔細對比各款�(chǎn)品的詳細�(guī)格書,確保新選器件完全符合原�(shè)計的要求�

fdc640p-nbad004a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價