FDC642P-NL是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN33-8封裝形式。該器件具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適合于多種電源管理應用,如DC-DC轉換�、負載開關以及電機驅動等場景。其出色的性能和小型化封裝設計使得它在便攜式設備和空間受限的應用中具有顯著�(yōu)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�9nC
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝類型:PDFN33-8
FDC642P-NL擁有非常低的導通電阻,僅為2.5毫歐,在高電流應用中可以有效減少功率損��
其柵極電荷較小(9納庫侖),確保了快速的開關性能,從而降低了開關損��
該器件的工作溫度范圍寬廣,從-55℃到175�,適應各種惡劣環(huán)境條��
FDC642P-NL采用PDFN33-8封裝,體積小且散熱性能良好,非常適合對尺寸敏感的設��
此外,它的高雪崩能量能力增強了系�(tǒng)的可靠��
該MOSFET廣泛應用于DC-DC轉換器中的同步整流開關、負載開�、電池保護電�、電機驅動控制器以及其他需要高效功率轉換的場合。由于其低導通電阻和高效率特�,也常用于筆記本電腦、平板電腦和智能手機等便攜式電子設備中的電源管理系統(tǒng)�
FDC642P-L, FDS6602, IRF7832