FDC855N是一種高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。FDC855N廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,例如電源適配器、筆記本電腦電源管理、消費類電子�(shè)備以及各類開�(guān)電源�(shè)計�
FDC855N的封裝形式通常為TO-252 (DPAK),這使得它在有限的空間�(nèi)能夠提供出色的散熱性能。此�,其低導(dǎo)通電阻特性使其成為對效率要求較高的應(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻:25mΩ
總功耗:1.3W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
柵極電荷�7nC
FDC855N具備以下主要特性:
1. 低導(dǎo)通電阻:僅為25mΩ,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 高電流能力:支持高達11A的連續(xù)漏極電流,滿足多種高功率�(yīng)用需��
3. 快速開�(guān)速度:得益于較低的柵極電�,能�?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)操作,從而降低開�(guān)損��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性:通過高效的散熱設(shè)計,確保器件在高溫環(huán)境下的可靠運��
5. 小型化封裝:TO-252封裝既節(jié)省空間又便于安裝�
6. 寬工作溫度范圍:能夠�-55℃至+150℃范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)各種極端�(huán)��
FDC855N適用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS):
- DC-DC�(zhuǎn)換器
- 降壓/升壓電路
2. 筆記本電腦及平板電腦中的電源管理�
- 動態(tài)電壓�(diào)節(jié)
- 電池充電控制
3. 消費類電子產(chǎn)品:
- 手機充電�
- LED�(qū)動器
4. 工業(yè)控制�
- 電機�(qū)�
- 繼電器替代方�
5. 通用負載切換�
- 電池保護
- 短路保護電路
IRF530
STP11NM60
AO3400