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FDC855N 發(fā)布時間 時間�2025/4/27 9:42:28 查看 閱讀�31

FDC855N是一種高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。FDC855N廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,例如電源適配器、筆記本電腦電源管理、消費類電子�(shè)備以及各類開�(guān)電源�(shè)計�
  FDC855N的封裝形式通常為TO-252 (DPAK),這使得它在有限的空間�(nèi)能夠提供出色的散熱性能。此�,其低導(dǎo)通電阻特性使其成為對效率要求較高的應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�11A
  �(dǎo)通電阻:25mΩ
  總功耗:1.3W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  柵極電荷�7nC

特�

FDC855N具備以下主要特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻:僅為25mΩ,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
  2. 高電流能力:支持高達11A的連續(xù)漏極電流,滿足多種高功率�(yīng)用需��
  3. 快速開�(guān)速度:得益于較低的柵極電�,能�?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)操作,從而降低開�(guān)損��
  4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性:通過高效的散熱設(shè)計,確保器件在高溫環(huán)境下的可靠運��
  5. 小型化封裝:TO-252封裝既節(jié)省空間又便于安裝�
  6. 寬工作溫度范圍:能夠�-55℃至+150℃范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)各種極端�(huán)��

�(yīng)�

FDC855N適用于以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):
   - DC-DC�(zhuǎn)換器
   - 降壓/升壓電路
  2. 筆記本電腦及平板電腦中的電源管理�
   - 動態(tài)電壓�(diào)節(jié)
   - 電池充電控制
  3. 消費類電子產(chǎn)品:
   - 手機充電�
   - LED�(qū)動器
  4. 工業(yè)控制�
   - 電機�(qū)�
   - 繼電器替代方�
  5. 通用負載切換�
   - 電池保護
   - 短路保護電路

替代型號

IRF530
  STP11NM60
  AO3400

fdc855n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdc855n資料 更多>

  • 型號
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fdc855n參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫歐 @ 6.1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds655pF @ 15V
  • 功率 - 最�800mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-SSOT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDC855NTR