FDD16AN08A0 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采用先進的半導體工藝制�。該器件具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于多種電力電子�(yīng)用場��
� MOSFET 的額定電壓為 80V,適合中低壓�(huán)境下的高效能需�。其封裝形式通常為行�(yè)標準封裝,便于設(shè)計集成與散熱管理�
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流�16A
導通電阻(典型值)�5.5mΩ
柵極電荷�39nC
輸入電容�1470pF
總功耗:230W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
FDD16AN08A0 提供了極低的導通電�,從而減少導通損耗并提高效率。它還具備快速的開關(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻開關(guān)�(yīng)用的需�。此�,該器件的高雪崩能量能力和堅固的�(shè)計確保了在惡劣條件下也能可靠運行�
其主要特性包括:
- 超低導通電�,減少系�(tǒng)�(fā)�
- 快速開�(guān)能力,支持高頻操�
- 高可靠性及強抗干擾能力
- 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,可承受極端溫度范圍
- 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)�
該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各類電力�(zhuǎn)換和控制場景,具體包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 開關(guān)電源(SMPS�
- 直流-直流�(zhuǎn)換器
- 電動工具�(qū)動電�
- 電機控制
- 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
- 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管�
- LED �(qū)動電�
FDP16N80,
FDMC8800,
IRF840