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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDD2570

FDD2570 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 15:55:59 查看 閱讀�26

FDD2570是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合高效率和高頻率的應(yīng)用場(chǎng)景�
  該MOSFET能夠在較高的電壓和電流條件下�(yùn)�,同�(shí)保持較低的功耗,非常適合用于需要高性能功率管理的電子設(shè)備中�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�48A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
  柵極電荷�110nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:10ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

FDD2570具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低功率損�,提高整體效��
  2. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,減少電磁干擾和熱量積累�
  3. 高電流承載能力,適用于大功率電路�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)行�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且兼容�(xiàn)代設(shè)�(jì)需求�
  6. 小型封裝選項(xiàng),有助于節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化設(shè)�(jì)布局�

�(yīng)�

FDD2570適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),用于提升轉(zhuǎn)換效��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)或保�(hù)開關(guān)�
  5. LED�(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)元件�
  6. 各類工業(yè)及消�(fèi)電子�(chǎn)品的功率管理模塊�

替代型號(hào)

FDP5500
  FDS6690
  IRF3205
  AON6708

fdd2570推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdd2570資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • FDD2570
  • 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
  • FAIRCHILD&nbs...
  • 閱覽

fdd2570參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 4.7A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs62nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1907pF @ 75V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)